特許

J-GLOBAL ID：200903009896183063

半導体配線膜の形成方法

発明者： 楠本 栄典 ,  久本 淳
出願人/特許権者： 株式会社神戸製鋼所
代理人 (1件)： 安田 敏雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-084961
公開番号（公開出願番号）：特開2001-274161
出願日： 2000年03月24日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
要約：

【要約】【課題】 銅系配線材料の低温でのリフローを可能とする。【解決手段】 孔又は溝が形成された絶縁膜の表面を電解メッキ法によって銅又は銅合金の金属材料で被覆することにより、前記孔又は溝の内部に前記金属材料を充填して配線膜を形成する半導体配線膜の形成方法であって、前記電解メッキを水素ガス又は水素イオンを含むメッキ浴中にて行い、膜中に水素を取り込みながら前記金属材料の配線膜を形成し、その後、加熱処理することにより前記孔又は溝に前記金属材料を充填する。

請求項（抜粋）：

孔又は溝が形成された絶縁膜の表面を電解メッキ法によって銅又は銅合金の金属材料で被覆することにより、前記孔又は溝の内部に前記金属材料を充填して配線膜を形成する半導体配線膜の形成方法であって、前記電解メッキを水素ガス又は水素イオンを含むメッキ浴中にて行い、膜中に水素を取り込みながら前記金属材料の配線膜を形成し、その後、加熱処理することにより前記孔又は溝に前記金属材料を充填することを特徴とする半導体配線膜の形成方法。

IPC (6件)：

H01L 21/3205 ,  C25D 5/08 ,  C25D 5/50 ,  C25D 7/12 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/288

FI (6件)：

C25D 5/08 ,  C25D 5/50 ,  C25D 7/12 ,  H01L 21/28 301 Z ,  H01L 21/288 E ,  H01L 21/88 M

Fターム (43件)：

4K024AA09 ,  4K024AB01 ,  4K024BA11 ,  4K024BB12 ,  4K024BC01 ,  4K024CA05 ,  4K024CA16 ,  4K024DB02 ,  4K024GA16 ,  4M104BB04 ,  4M104BB18 ,  4M104CC01 ,  4M104DD16 ,  4M104DD37 ,  4M104DD52 ,  4M104DD79 ,  4M104FF18 ,  4M104HH13 ,  5F033HH11 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ32 ,  5F033KK01 ,  5F033KK11 ,  5F033KK32 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ75 ,  5F033QQ86 ,  5F033RR04 ,  5F033XX02 ,  5F033XX11

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 配線の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-038236   出願人：ソニー株式会社
• 銅系配線膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-091651   出願人：株式会社神戸製鋼所, 日本真空技術株式会社
• 金属配線の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-101227   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置の製造方法およびその製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-165464   出願人：松下電器産業株式会社