特許
J-GLOBAL ID：200903009953219584
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 蔵田 昌俊
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-036446
公開番号（公開出願番号）：特開2005-228930
出願日： 2004年02月13日
公開日（公表日）： 2005年08月25日
要約：
【課題】裏面チッピングを抑制し、薄いチップであっても抗折強度を向上でき、且つ接続不良を低減できる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的としている。【解決手段】素子形成面側に予め接着剤層23-1が形成され、その接着剤層の表面からバンプ25-1が露出した半導体チップ22-1を配線基板21にワイヤボンディングし、この半導体チップ上に上記接着材層を介在して半導体チップ22-2を積み重ね、ワイヤボンディングによって配線基板21にワイヤボンディングする。同様にして半導体チップを順次積み重ねてスタックMCPを形成することを特徴としている。樹脂シートDBG法で作製した抗折強度の高い薄厚チップをスタックMCPに応用できるため、裏面チッピングを抑制し、薄いチップであっても抗折強度を向上でき、且つ接続不良を低減して薄厚またはチップを多段に積み重ねることができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
複数の半導体チップが積み重ねてパッケージングされ、
前記複数の半導体チップの少なくとも1つは、
半導体チップの素子形成面側に形成された接着剤層と、
前記半導体チップのパッド上に形成され、前記接着剤層の表面から露出されたバンプと、
前記バンプと配線基板に形成された配線層とを電気的に接続するボンディングワイヤと
を具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L25/065
, H01L25/07
, H01L25/18
