特許
J-GLOBAL ID：200903010009414461

電界効果トランジスタおよびその製造方法

発明者：
三島 友義

三島 友義 について

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中村 徹

中村 徹 について

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佐藤 政孝

佐藤 政孝 について

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野本 一貴

野本 一貴 について


出願人/特許権者：
日立電線株式会社

日立電線株式会社 について


代理人 (1件)： 絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-331076
公開番号（公開出願番号）：特開2008-147311
出願日： 2006年12月07日
公開日（公表日）： 2008年06月26日
要約：
【課題】ワイドバンドギャップ系半導体結晶内に形成する電界効果トランジスタに用いられるオーム性電極の直列抵抗を著しく減少させ、性能を向上できる電界効果トランジスタおよびその製造方法を提供する。【解決手段】基板1上にアンドープGaN層(電子走行層)2と高抵抗またはn型AlGaN層(電子供給層)3が順次形成され、電子供給層上にゲート電極4、ソース電極5およびドレイン電極6を形成する際に、ソース電極5およびドレイン電極6直下の深さ方向に、電子供給層と電子走行層間の2次元電子ガスの層9を挟むように2重の不純物の高濃度領域7,8が形成され、それぞれの高濃度領域7、8は、ゲート電極4直下の電子供給層と電子走行層の不純物濃度よりそれぞれ高濃度となるよう形成されており、かつソース電極5とゲート電極4間及びドレイン電極6とゲート電極4の間の半導体層の表面が平坦である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に窒化物半導体からなる電子走行層と電子供給層が順次形成され、電子供給層上にゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を形成した電界効果トランジスタにおいて、ソース電極およびドレイン電極直下の深さ方向に、電子供給層と電子走行層の間の2次元電子ガスの層を挟むように2重の不純物の高濃度領域が形成され、それぞれの高濃度領域は、ゲート電極直下の電子供給層と電子走行層の不純物濃度よりそれぞれ高濃度となるよう形成されており、かつソース電極とゲート電極の間およびドレイン電極とゲート電極の間の半導体層の表面が平坦であることを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (4件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/28
FI (2件)：
H01L29/80 H ,  H01L21/28 301B
Fターム (22件)：
4M104AA04 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104DD26 ,  4M104FF13 ,  4M104FF32 ,  4M104GG12 ,  4M104HH15 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR07 ,  5F102GR15 ,  5F102GS01 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (2件)

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