特許

J-GLOBAL ID：200903010040889303

化合物半導体結晶の成長方法、その成長方法を用いて成長した化合物半導体結晶の層を備えた半導体装置及び半導体基板

発明者： 荒 川 泰 彦 ,  西 岡 政 雄 ,  橋 本 玲 ,  江 崎 瑞 仙 ,  櫛 部 光 弘 ,  波多腰 玄 一
出願人/特許権者： 国立大学法人 東京大学 ,  株式会社東芝
代理人 (5件)： 吉武 賢次 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-178232
公開番号（公開出願番号）：特開2006-351956
出願日： 2005年06月17日
公開日（公表日）： 2006年12月28日
要約：

【課題】 量子ドットのサイズ均一性と発光効率を向上させることを可能にする。 【解決手段】 MOCVD法を用いて、化合物半導体基板上に、III族元素およびV族元素を含む化合物半導体結晶を成長させる化合物半導体結晶の成長方法であって、III族元素を含む原料を連続的に供給し、V族元素を含む原料の供給と停止とを繰り返して行う工程を備えている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

MOCVD法を用いて、化合物半導体基板上に、III族元素およびV族元素を含む化合物半導体結晶を成長させる化合物半導体結晶の成長方法であって、 前記III族元素を含む原料を連続的に供給し、前記V族元素を含む原料の供給と停止とを繰り返して行う工程を備えたことを特徴とする化合物半導体結晶の成長方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01S 5/343

FI (2件)：

H01L21/205 ,  H01S5/343

Fターム (14件)：

5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AC08 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AF04 ,  5F045BB16 ,  5F045DA53 ,  5F045EE19 ,  5F173AF09 ,  5F173AG11 ,  5F173AH04 ,  5F173AP06

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 半導体量子ドット素子の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-187085   出願人：富士通株式会社
• 半導体膜の成長方法およびこの半導体膜を備えた半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-137815   出願人：シャープ株式会社
• 化合物半導体の成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-302958   出願人：古河電気工業株式会社
• 化合物半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-072205   出願人：シャープ株式会社

審査官引用 (2件)

• 化合物半導体の成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-302958   出願人：古河電気工業株式会社
• 化合物半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-072205   出願人：シャープ株式会社