高出力ダイヤモンド半導体素子

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-251370
公開番号（公開出願番号）：特開2009-081393
出願日： 2007年09月27日
公開日（公表日）： 2009年04月16日
要約：

【課題】表面リーク電流を抑制したダイヤモンド半導体素子を提供する。【解決手段】ショットキー電極をカソードとし、オーミック電極をアノードとし、ショットキー電極、ダイヤモンドp-ドリフト層、ダイヤモンドp+オーミック層、オーミック電極からなる構造の高出力ダイヤモンド半導体素子において、ショットキー電極の周囲に絶縁膜層を設けたダイヤモンド半導体素子【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ショットキー電極をカソードとし、オーミック電極をアノードとし、ショットキー電極、ダイヤモンドp-ドリフト層、ダイヤモンドp+オーミック層、オーミック電極からなる構造の高出力ダイヤモンド半導体素子において、ショットキー電極の周囲に絶縁膜層を設けたダイヤモンド半導体素子。

IPC (3件)：

H01L 29/47 , H01L 29/872 , H01L 21/283

FI (3件)：

H01L29/48 D , H01L29/48 F , H01L21/283 C

Fターム (13件)：

4M104AA10 , 4M104BB04 , 4M104BB06 , 4M104BB09 , 4M104BB14 , 4M104BB15 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104EE06 , 4M104EE14 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104HH20

引用特許：

審査官引用 (5件)

ダイヤモンド半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-082480 出願人：住友電気工業株式会社
ダイヤモンドへの整流電極の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-172446 出願人：株式会社神戸製鋼所
フィールドプレート構造の形成方法および半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-244582 出願人：住友電気工業株式会社

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引用文献：

審査官引用 (2件)

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