特許
J-GLOBAL ID:200903094915015808

ダイヤモンド電子素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 藤巻 正憲
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-004351
公開番号(公開出願番号):特開平8-195486
出願日: 1995年01月13日
公開日(公表日): 1996年07月30日
要約:
【要約】【目的】 高温下における電極又は配線の剥離等による電気特性の変化を抑制できる素子構造を有し、高温下においても安定に動作するダイヤモンド電子素子を提供する。【構成】 基板16上に、多結晶シリコン等のシリコンを含有する物質を用いて一体的に形成された少なくとも一組の電極11及び配線が形成されており、これらの電極11及び配線は被覆材14により被覆されて外界から保護されている。
請求項(抜粋):
少なくとも一組以上の電極及びそれに接続される配線がシリコンを含む物質で一体的に形成されたダイヤモンド電子素子において、前記電極及び配線の少なくとも一部が絶縁性材料で被覆されていることを特徴とするダイヤモンド電子素子。
IPC (8件):
H01L 29/43 ,  H01L 21/56 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/861 ,  H01L 33/00 ,  H01L 41/00 ,  H01L 43/06
FI (4件):
H01L 29/46 B ,  H01L 21/88 Q ,  H01L 29/78 301 X ,  H01L 29/91 C
引用特許:
審査官引用 (15件)
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