特許
J-GLOBAL ID：200903010178715314
一次元ナノ材料の方向及び形状の制御方法
発明者：
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出願人/特許権者：
,
代理人 (8件)：
志賀 正武
, 高橋 詔男
, 渡邊 隆
, 青山 正和
, 鈴木 三義
, 西 和哉
, 村山 靖彦
, 実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-117356
公開番号（公開出願番号）：特開2004-106168
出願日： 2003年04月22日
公開日（公表日）： 2004年04月08日
要約：
【課題】本発明は、電界放出の性能を高めるため、一次元ナノ材料の方向及び形状の制御方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明は、一次元ナノ材料の方向及び形状の制御方法を提供され、選定した方向に沿って一次元ナノ材料にレーザビームを発射し、該一次元ナノ材料のマトリックスを針のような尖端部が形成させ、プロセスが簡単で、明らかに尖端部が形成しやすい、電界カーテンエフェクトを弱くし、且つ一次元ナノ材料のマトリックスの表面を浄化し、電界放出の電場閾値を降下し、電界放出の効果を高める。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
平滑面を有する基板を用意するステップと、
一次元ナノ材料のマトリックスを、基板の平滑面に平行な上表面を有するように、該基板の平滑面に直接に成長させあるいは該基板の平滑面の上に移植するステップと、
レーザ発射源を用意するステップと、
レーザ発射源を開け、前記一次元ナノ材料のマトリックスの上表面にレーザビームを照射するステップと、
を含むことを特徴とする一次元ナノ材料の方向及び形状の制御方法。
IPC (3件)：
B82B3/00
, C01B31/02
, H01J9/02
B82B3/00
, C01B31/02 101F
, H01J9/02 B
4G146AA11
, 4G146AB05
, 4G146AB07
, 4G146AB08
, 4G146AD29
, 4G146BA04
, 4G146CB08
, 4G146CB15
, 4G146CB16
, 4G146CB17
, 4G146CB19
, 4G146CB22
, 4G146CB26
, 5C127AA01
, 5C127BA09
, 5C127BA15
, 5C127BB07
, 5C127CC07
, 5C127DD68
