特許
J-GLOBAL ID：200903010193901604
シリコンウェーハの熱処理方法及びシリコンウェーハ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-286163
公開番号（公開出願番号）：特開2002-100584
出願日： 2000年09月20日
公開日（公表日）： 2002年04月05日
要約：
【要約】【課題】 シリコンウェーハの熱処理方法及びシリコンウェーハにおいて、空孔型点欠陥が支配的に存在する領域のウェーハの酸化膜耐圧を向上させること。【解決手段】 空孔型点欠陥が支配的に存在する領域からなるシリコン単結晶インゴットから切り出されたシリコンウェーハの熱処理方法であって、熱処理の温度をT(°C)とすると共に熱処理の時間をS(秒)としたとき、以下の関係式;S≧-2.9T+3490(S>0)を満たす温度T及び時間Sで前記シリコンウェーハを雰囲気ガス中で熱処理する。
請求項（抜粋）：
空孔型点欠陥が支配的に存在する領域からなるシリコン単結晶インゴットから切り出されたシリコンウェーハの熱処理方法であって、熱処理の温度をT(°C)とすると共に熱処理の時間をS(秒)としたとき、以下の関係式;S≧-2.9T+3490(S>0)を満たす温度T及び時間Sで前記シリコンウェーハを雰囲気ガス中で熱処理することを特徴とするシリコンウェーハの熱処理方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/322 Y
, H01L 21/26 F
