シリコン単結晶ウエハ及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：木下茂 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-292995
公開番号（公開出願番号）：特開2000-109395
出願日： 1998年09月30日
公開日（公表日）： 2000年04月18日
要約：

【要約】【課題】所定サイズ以上のボイドが実質的に存在せず、加熱処理等の処理工程を経た後の製品ウエハ表面におけるボイドの存在密度が従来品に比べて著しく低減され、かつ製品とした場合、酸化膜耐圧性に優れるシリコン単結晶ウエハ、及びそれらの製造方法を提供する。【解決手段】チョクラルスキー法によって引き上げられた単結晶から製造されたシリコン単結晶ウエハであって、該ウエハ表面に現れるボイドのサイズ分布が、下記条件:ウエハ表面におけるボイドサイズ0.1μm以上のボイド数をボイド総数とし、ボイドサイズ0.1μm以上0.15μm以下のボイド数が、ボイド総数の85%以上、及びボイドサイズ0.20μm以上のボイドが実質的に存在しないことを満たすことを特徴としている。

請求項（抜粋）：

チョクラルスキー法によって引き上げられた単結晶から製造されたシリコン単結晶ウエハであって、該ウエハ表面に現れるボイドのサイズ分布が、下記条件:ウエハ表面におけるボイドサイズ0.1μm以上のボイド数をボイド総数とし、ボイドサイズ0.1μm以上0.15μm以下のボイド数が、ボイド総数の85%以上、及びボイドサイズ0.20μm以上のボイドが実質的に存在しないことを満たすことを特徴とするシリコン単結晶ウエハ。

IPC (6件)：

C30B 29/06 , C30B 29/06 502 , C30B 33/02 , H01L 21/02 , H01L 21/208 , H01L 21/324

FI (7件)：

C30B 29/06 A , C30B 29/06 B , C30B 29/06 502 G , C30B 33/02 , H01L 21/02 B , H01L 21/208 P , H01L 21/324 X

Fターム (20件)：

4G077AA02 , 4G077AA03 , 4G077BB03 , 4G077CF10 , 4G077EG25 , 4G077EJ02 , 4G077FE05 , 5F053AA12 , 5F053AA13 , 5F053AA14 , 5F053BB04 , 5F053BB13 , 5F053BB14 , 5F053DD01 , 5F053FF04 , 5F053GG01 , 5F053PP03 , 5F053PP08 , 5F053PP20 , 5F053RR03

引用特許：

審査官引用 (8件)

シリコン単結晶の引上方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-186252 出願人：三菱マテリアル株式会社, 三菱マテリアルシリコン株式会社
結晶欠陥の少ないシリコン単結晶の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-134274 出願人：信越半導体株式会社
結晶欠陥の少ないシリコン単結晶の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-300479 出願人：信越半導体株式会社

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