特許
J-GLOBAL ID：200903071928132234
シリコン単結晶製造方法および半導体形成用ウェハ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
正林 真之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-078666
公開番号（公開出願番号）：特開2000-154095
出願日： 1999年03月23日
公開日（公表日）： 2000年06月06日
要約：
【要約】【課題】 シリコン単結晶のサイズの如何に拘わらず、特にボイド欠陥の水素ガスによる欠陥消失効果を深層部まで及ぼすことができるようにする。【解決手段】 ウェハの熱酸化処理をした際に発生する酸化誘起積層欠陥部(OSFリング)の半径がウェハ外縁に発現開始する領域からウェハ半径の1/2までの領域に発現される条件でシリコン単結晶を引き上げて製造する。
請求項（抜粋）：
ウェハの熱酸化処理をした際にリング状に発生する酸化誘起積層欠陥部(以下OSFリングという)の半径がウェハ外縁に発現開始する領域からウェハ半径の1/2までの領域に発現される条件でシリコン単結晶を引き上げて製造することを特徴とするシリコン単結晶製造方法。
IPC (5件)：
C30B 29/06 502
, C30B 15/00
, C30B 15/20
, C30B 33/02
, H01L 21/324
C30B 29/06 502 J
, C30B 15/00 Z
, C30B 15/20
, C30B 33/02
, H01L 21/324 X
4G077AA02
, 4G077BA04
, 4G077CF00
, 4G077EH07
, 4G077EH09
, 4G077FE11
, 4G077GA01
, 4G077HA12
, 4G077PA06
, 4G077PF08
, 4G077PF16
, 4G077PF17
, 4G077PF34
, 4G077PF35
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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