特許
J-GLOBAL ID：200903010231027930
半導体集積回路およびその制御方法
出願人/特許権者：
代理人 (1件)： 古谷 史旺 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-318394
公開番号（公開出願番号）：特開2001-135082
出願日： 1999年11月09日
公開日（公表日）： 2001年05月18日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、メモリセルを備えディレイドライト機能を有する半導体集積回路に、データのマスク機能を持たせることにある。【解決手段】 メモリセルMCと保持部22とを備えている。保持部22は、書き込みコマンドに対応して供給される書き込みデータおよび書き込みデータの所定のビットをマスクするマスク情報を、書き込み保持データおよびマスク保持情報として保持する。半導体集積回路は、次の書き込みコマンドを受けたときに、書き込み保持データをマスク保持情報に応じてマスクしてメモリセルMCに書き込む。保持部22は、この書き込みコマンドに対応して供給される次の書き込みデータおよび次のマスク情報を書き込み保持データおよびマスク保持情報として保持する。このため、ディレイドライト機能を有する半導体集積回路において、書き込みデータをマスクできる。
請求項（抜粋）：
メモリセルと、書き込みコマンドに対応して供給される前記メモリセルへの書き込みデータおよび該書き込みデータの所定のビットをマスクするマスク情報を、書き込み保持データおよびマスク保持情報として保持する保持部とを備え、次の書き込みコマンドを受けたときに、前記書き込み保持データを前記マスク保持情報に応じてマスクして前記メモリセルに書き込み、前記次の書き込みコマンドに対応して供給される次の書き込みデータおよび次のマスク情報を前記書き込み保持データおよび前記マスク保持情報として保持することを特徴とする半導体集積回路。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (7件)：
引用特許：
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