特許
J-GLOBAL ID：200903051339854997
ハイブリッド光集積用基板及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-336953
公開番号（公開出願番号）：特開平9-178966
出願日： 1995年12月25日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：
【要約】【課題】 Si基板の比抵抗を大きくし、前記高周波用電気配線の伝送損失を小さくしたハイブリッド光集積用基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】 Si基板上に光導波路を形成し、かつ同一基板上に高周波用電気配線を形成したハイブリッド光集積用基板において、前記Si基板の比抵抗を大きくし、前記高周波用電気配線の伝送損失を小さくしたハイブリッド光集積用基板である。また、Si基板上に光導波路を形成し、かつ同一基板上に高周波用電気配線を形成するハイブリッド光集積用基板の製造方法において、前記Si基板を500°C以上に加熱する昇温工程と、該昇温工程の後に、電気的に活性な酸素に起因するドナーを生ずる温度領域を、ドナーを生じないように急速に通過するように冷却する冷却工程を有するものである。
請求項（抜粋）：
Si基板上に光導波路を形成し、かつ同一基板上に高周波用電気配線を形成したハイブリッド光集積用基板において、前記Si基板の比抵抗を大きくし、前記高周波用電気配線の伝送損失を小さくしたことを特徴とするハイブリッド光集積用基板。
IPC (4件)：
G02B 6/122
, G02B 6/13
, G02F 1/035
, H01L 27/15
G02B 6/12 A
, G02F 1/035
, H01L 27/15 C
, G02B 6/12 M
