特許
J-GLOBAL ID：200903010282291194

薄膜トランジスタアレイ基板及びアクティブマトリクス型液晶表示装置

発明者：
吉永 一秀

吉永 一秀 について

, 
齋藤 総一

齋藤 総一 について

, 
嶋本 浩文

嶋本 浩文 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 稲垣 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-397129
公開番号（公開出願番号）：特開2005-159115
出願日： 2003年11月27日
公開日（公表日）： 2005年06月16日
要約：
【課題】 バックゲート効果及び光リーク電流による薄膜トランジスタの特性の変動を同時に抑制する、薄膜トランジスタアレイ基板及びアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供する。【解決手段】 薄膜トランジスタアレイ基板30は、ガラス基板1と、ガラス基板1上に順次に形成された第1裏面遮光膜3、第2酸化シリコン膜4、第2裏面遮光膜5および第3酸化シリコン膜6と、第3酸化シリコン膜6上に形成された多結晶シリコン層7を有する薄膜トランジスタとを備える。第1裏面遮光膜3が少なくとも薄膜トランジスタの多結晶シリコン層7に対向する位置に形成され、第2裏面遮光膜5が多結晶シリコン層7のチャネル領域に対向する位置に開口部19を有する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
光透過性基板と、該光透過性基板上に順次に形成された第1の裏面遮光膜、第1の層間膜、第2の裏面遮光膜および第2の層間膜と、該第2の層間膜上に形成された活性層を有する薄膜トランジスタとを備え、前記第1の裏面遮光膜が少なくとも前記薄膜トランジスタの活性層に対向する位置に形成され、前記第2の裏面遮光膜が前記活性層のチャネル領域の少なくとも一部に対向する位置に開口部を有することを特徴とする薄膜トランジスタアレイ基板。
IPC (4件)：
H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  G09F9/35
FI (5件)：
H01L29/78 619B ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 338 ,  G09F9/30 349C ,  G09F9/35
Fターム (58件)：
2H092GA11 ,  2H092GA17 ,  2H092JA24 ,  2H092JA27 ,  2H092JA28 ,  2H092JA36 ,  2H092JA40 ,  2H092JB51 ,  2H092NA01 ,  2H092NA11 ,  2H092PA09 ,  5C094AA25 ,  5C094AA48 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DA13 ,  5C094DB01 ,  5C094DB04 ,  5C094EB02 ,  5C094ED15 ,  5C094FA01 ,  5C094FA02 ,  5C094JA08 ,  5F110AA06 ,  5F110AA21 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD17 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE42 ,  5F110FF02 ,  5F110FF29 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HL03 ,  5F110HL07 ,  5F110HL23 ,  5F110HM04 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN23 ,  5F110NN33 ,  5F110NN35 ,  5F110NN43 ,  5F110NN44 ,  5F110NN46 ,  5F110NN48 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110PP03 ,  5F110QQ11
引用特許：
出願人引用 (6件)
全件表示
審査官引用 (1件)

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