特許
J-GLOBAL ID：200903010300165460

プラズマ処理方法およびその方法を用いて製造された光電変換素子

発明者：
中野 孝紀

中野 孝紀 について

, 
三宮 仁

三宮 仁 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-173849
公開番号（公開出願番号）：特開2008-004815
出願日： 2006年06月23日
公開日（公表日）： 2008年01月10日
要約：
【課題】 第1のプラズマ処理工程とその工程より放電開始電圧が高い第2のプラズマ処理工程を同一プラズマ反応室内において行う場合に、第2のプラズマ処理工程において均一なプラズマを電極間に発生および維持させるためには、電極間に高電圧を印加する必要があり、プラズマへの投入電力量が大きくなる。 【解決手段】 放電開始電圧が高い条件の第2のプラズマ処理工程においてパルス変調された交流電力を用いることにより、均一なプラズマを電極間に発生および維持させ、かつ、電極間に投入される電力量を低減することが可能となる。これにより、プラズマ処理速度を低下させ、その処理量の制御が容易となる。 【選択図】図1
請求項（抜粋）：
同一のプラズマ反応室内で少なくとも2のプラズマ処理工程を行うプラズマ処理方法であって、 プラズマ処理用の電源としてCW交流電力を用いる第1のプラズマ処理工程と、 プラズマ処理用の電源としてパルス変調された交流電力を用い、第1のプラズマ処理工程より放電開始電圧が高い第2のプラズマ処理工程と、 前記第1のプラズマ処理工程と前記第2のプラズマ処理工程を適宜切換える切換工程と、 を有することを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (6件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/517 ,  H05H 1/24 ,  H05H 1/46 ,  H01L 31/04 ,  H01L 21/306
FI (7件)：
H01L21/205 ,  C23C16/517 ,  H05H1/24 ,  H05H1/46 M ,  H01L31/04 W ,  H01L31/04 Y ,  H01L21/302 101B
Fターム (48件)：
4K030AA20 ,  4K030DA08 ,  5F004AA15 ,  5F004BA04 ,  5F004BB16 ,  5F004BB19 ,  5F004BD04 ,  5F004CA03 ,  5F004DA17 ,  5F004DA23 ,  5F004DB00 ,  5F004DB01 ,  5F045AA08 ,  5F045AB02 ,  5F045AB04 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AC19 ,  5F045AD05 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045AF07 ,  5F045BB08 ,  5F045CA13 ,  5F045DA52 ,  5F045DP09 ,  5F045DP20 ,  5F045EB06 ,  5F045EH07 ,  5F045EH14 ,  5F045EH20 ,  5F051AA03 ,  5F051AA05 ,  5F051CA07 ,  5F051CA08 ,  5F051CA15 ,  5F051CA35 ,  5F051CB12 ,  5F051CB14 ,  5F051CB15 ,  5F051DA04 ,  5F051DA16 ,  5F051FA02 ,  5F051FA03 ,  5F051FA06 ,  5F051FA13 ,  5F051FA15 ,  5F051GA03
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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