特許

J-GLOBAL ID：200903010415223383

窒化ガリウム単結晶厚膜の製造方法

発明者： 申 鉉敏 ,  孔 善煥 ,  李 起秀 ,  崔 準成
出願人/特許権者： 三星コーニング株式会社
代理人 (2件)： 正林 真之 ,  八木澤 史彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-334013
公開番号（公開出願番号）：特開2008-069067
出願日： 2006年12月12日
公開日（公表日）： 2008年03月27日
要約：

【課題】本発明は、反りがない高品質の半導体用窒化ガリウム単結晶厚膜、特に、c面({0001}面)窒化ガリウム単結晶厚膜を製造する方法に関する。【解決手段】本発明は特に、HVPEを使用して窒化ガリウム単結晶厚膜のc面({0001}面)を製造する方法である。窒化ガリウム膜は、塩化水素(HCl)ガスとアンモニアガスを供給することによって基板上に成長される。基板上に窒化ガリウム膜を得て、基板上の窒化ガリウム膜上の窒化ガリウム厚膜が成長する。【選択図】図4A

請求項（抜粋）：

HVPE反応槽内に、ガリウム源および塩化水素(HCl)ガスと窒素源ガスの混合ガスを供給することによって、クラックを有する第一の窒化ガリウム膜を得て、基板上に前記第一の窒化ガリウム膜を成長させる工程と、 基板上の前記第一の窒化ガリウム膜を冷却し、前記基板の底部のクラックを拡大させる工程と、 前記基板上の前記第一の窒化ガリウム膜上に第二の窒化ガリウム厚膜を成長させる工程と、 前記基板上の前記第一の窒化ガリウムと前記第二の窒化ガリウムから、前記クラックが拡大した前記基板と前記第一の窒化ガリウム膜の両方を除去することにより、フリースタンディングな窒化ガリウム厚膜を得る工程と、を備えるハイドライド気相成長法(HVPE)を用いた窒化ガリウム単結晶厚膜の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  C30B 25/02

FI (3件)：

C30B29/38 D ,  H01L21/205 ,  C30B25/02 Z

Fターム (35件)：

4G077AA02 ,  4G077AB02 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077DB09 ,  4G077EA02 ,  4G077EA06 ,  4G077EC09 ,  4G077EC10 ,  4G077ED06 ,  4G077EF03 ,  4G077FE20 ,  4G077FJ03 ,  4G077GA10 ,  4G077HA12 ,  4G077TB04 ,  4G077TC02 ,  4G077TC06 ,  4G077TC13 ,  4G077TC16 ,  5F045AB14 ,  5F045AC01 ,  5F045AC03 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AC19 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045BB11 ,  5F045DA53 ,  5F045DA69

引用特許：

出願人引用 (5件)

• US 5,290,393(1994)
  
• US 6,177,688(2001)
  
• US 6,528,394 B1(2003)
  
• EP 01946718
  
• EP 01116827
  

審査官引用 (4件)

• 窒化ガリウム単結晶厚膜およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-338774   出願人：三星コーニング株式会社
• 窒化ガリウム半導体単結晶基板の製造方法並びにその基板を用いた窒化ガリウムダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-335580   出願人：エルジー電子株式会社
• エピタキシャル蒸着により自立形基板を形成する熱的不整合の補償
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平11-507464   出願人：シービーエルテクノロジーズ
• エピタキシャル層中の欠陥の除去
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平11-507411   出願人：シービーエルテクノロジーズ

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Preparation and properties of free-standingHVPEgrownGaN substrates