特許
J-GLOBAL ID：200903012377929962

窒化ガリウム単結晶厚膜およびその製造方法

発明者：
李 昌浩

李 昌浩 について

, 
申 鉉敏

申 鉉敏 について

, 
孔 善煥

孔 善煥 について

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李 恵竜

李 恵竜 について


出願人/特許権者：
三星コーニング株式会社

三星コーニング株式会社 について


代理人 (11件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  白根 俊郎 ,  村松 貞男 ,  野河 信久 ,  橋本 良郎 ,  風間 鉄也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-338774
公開番号（公開出願番号）：特開2006-143581
出願日： 2005年11月24日
公開日（公表日）： 2006年06月08日
要約：
【課題】数mmの厚さに成長しても反りがほとんどない、独立した窒化ガリウム単結晶厚膜およびその成長方法を提供する。【解決手段】サファイヤ基板上に、ハイドライド気相成長法(HVPE)を用いてシリコン(Si)が過剰にドープされた窒化ガリウム膜を20〜50μm範囲の厚さに成長させてクラックを誘導し、該積層体を冷却して基板の下部までクラックを伝播させたあと、該窒化ガリウム積層体上にHVPEによって窒化ガリウム厚膜を成長させる。こうして得られた基板/Si過剰ドープされた窒化ガリウム/窒化ガリウム積層体から、誘導されたクラックを有する基板とSi過剰ドープされた窒化ガリウム膜とを除去することにより、表面距離当り<0001>方向に対するc軸方向の結晶チルト角の値が0.0022(°/mm)以下の、独立した窒化ガリウム厚膜が得られる。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
表面距離当り<0001>方向に対するc軸方向の結晶チルト角の値が0.0022(°/mm)以下である窒化ガリウム(GaN)単結晶厚膜。
IPC (3件)：
C30B 29/38 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205
FI (3件)：
C30B29/38 D ,  C23C16/34 ,  H01L21/205
Fターム (42件)：
4G077AA02 ,  4G077AB02 ,  4G077AB09 ,  4G077BE15 ,  4G077DB04 ,  4G077ED06 ,  4G077EF03 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA05 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TB03 ,  4G077TC13 ,  4G077TC16 ,  4G077TK01 ,  4G077TK08 ,  4G077TK11 ,  4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030EA01 ,  4K030FA10 ,  4K030JA01 ,  4K030JA06 ,  4K030JA10 ,  4K030JA12 ,  5F045AA03 ,  5F045AB14 ,  5F045AC03 ,  5F045AC05 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AD10 ,  5F045AF09 ,  5F045BB11 ,  5F045CA09 ,  5F045CA10
引用特許：
出願人引用 (12件)
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審査官引用 (7件)
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