特許
J-GLOBAL ID：200903012377929962
窒化ガリウム単結晶厚膜およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (11件)：
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 蔵田 昌俊
, 峰 隆司
, 福原 淑弘
, 白根 俊郎
, 村松 貞男
, 野河 信久
, 橋本 良郎
, 風間 鉄也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-338774
公開番号（公開出願番号）：特開2006-143581
出願日： 2005年11月24日
公開日（公表日）： 2006年06月08日
要約：
【課題】数mmの厚さに成長しても反りがほとんどない、独立した窒化ガリウム単結晶厚膜およびその成長方法を提供する。【解決手段】サファイヤ基板上に、ハイドライド気相成長法(HVPE)を用いてシリコン(Si)が過剰にドープされた窒化ガリウム膜を20〜50μm範囲の厚さに成長させてクラックを誘導し、該積層体を冷却して基板の下部までクラックを伝播させたあと、該窒化ガリウム積層体上にHVPEによって窒化ガリウム厚膜を成長させる。こうして得られた基板/Si過剰ドープされた窒化ガリウム/窒化ガリウム積層体から、誘導されたクラックを有する基板とSi過剰ドープされた窒化ガリウム膜とを除去することにより、表面距離当り<0001>方向に対するc軸方向の結晶チルト角の値が0.0022(°/mm)以下の、独立した窒化ガリウム厚膜が得られる。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
表面距離当り<0001>方向に対するc軸方向の結晶チルト角の値が0.0022(°/mm)以下である窒化ガリウム(GaN)単結晶厚膜。
IPC (3件)：
C30B 29/38
, C23C 16/34
, H01L 21/205
C30B29/38 D
, C23C16/34
, H01L21/205
4G077AA02
, 4G077AB02
, 4G077AB09
, 4G077BE15
, 4G077DB04
, 4G077ED06
, 4G077EF03
, 4G077FJ03
, 4G077HA05
, 4G077HA12
, 4G077TA04
, 4G077TB03
, 4G077TC13
, 4G077TC16
, 4G077TK01
, 4G077TK08
, 4G077TK11
, 4K030AA03
, 4K030AA06
, 4K030AA13
, 4K030BA08
, 4K030BA38
, 4K030BB02
, 4K030CA05
, 4K030CA12
, 4K030EA01
, 4K030FA10
, 4K030JA01
, 4K030JA06
, 4K030JA10
, 4K030JA12
, 5F045AA03
, 5F045AB14
, 5F045AC03
, 5F045AC05
, 5F045AC12
, 5F045AC13
, 5F045AD10
, 5F045AF09
, 5F045BB11
, 5F045CA09
, 5F045CA10
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (7件)
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