特許
J-GLOBAL ID：200903010444725584

積層薄膜およびその製造方法

発明者：
矢野 義彦

矢野 義彦 について

, 
野口 隆男

野口 隆男 について


出願人/特許権者：
ティーディーケイ株式会社

ティーディーケイ株式会社 について


代理人 (1件)： 石井 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-103826
公開番号（公開出願番号）：特開平10-287493
出願日： 1997年04月07日
公開日（公表日）： 1998年10月27日
要約：
【要約】【課題】 Si単結晶基板上に強誘電体薄膜、特にPbTiO3強誘電体薄膜を形成するに際し、自発分極値の低下を防ぐ。【解決手段】 Si単結晶基板上に形成された積層薄膜であり、絶縁性中間薄膜と、この絶縁性中間薄膜を介して積層された強誘電体薄膜とから構成され、前記強誘電体薄膜がペロブスカイト構造を有する(001)配向エピタキシャル膜であり、前記絶縁性中間薄膜がペロブスカイト構造を有するエピタキシャル膜であり、前記絶縁性中間薄膜の厚さが0.3〜5nmであり、前記強誘電体薄膜の厚さが2〜50nmであり、前記強誘電体薄膜の厚さを前記絶縁性中間薄膜の厚さで除した値が1.5〜50である積層薄膜。
請求項（抜粋）：
Si単結晶基板上に形成された積層薄膜であり、絶縁性中間薄膜と、この絶縁性中間薄膜を介して積層された強誘電体薄膜とから構成され、前記強誘電体薄膜がペロブスカイト構造を有する(001)配向エピタキシャル膜であり、前記絶縁性中間薄膜がペロブスカイト構造を有するエピタキシャル膜であり、前記絶縁性中間薄膜の厚さが0.3〜5nmであり、前記強誘電体薄膜の厚さが2〜50nmであり、前記強誘電体薄膜の厚さを前記絶縁性中間薄膜の厚さで除した値が1.5〜50である積層薄膜。
IPC (5件)：
C30B 29/32 ,  H01G 7/06 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 31/0264 ,  H01L 39/24 ZAA
FI (5件)：
C30B 29/32 A ,  H01G 7/06 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 39/24 ZAA D ,  H01L 31/08 N
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (9件)
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