高純度テトラキスジメチルアミノハフニウムとその製造方法およびそれを用いたゲート絶縁膜の製造方法。

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-144203
公開番号（公開出願番号）：特開2005-298467
出願日： 2004年04月12日
公開日（公表日）： 2005年10月27日
要約：

【課題】ALDやCVD用として、物性的にも経済的にも好都合な、Zrの少ないプリカーサーを特定し、その製造方法とそのブリカーサーを用いたHf系酸化物ゲート絶縁膜の製造方法を提供する。【解決手段】Zr含量1400ppmの粗Hf(NMe2)4を塔高1mの充填蒸留塔を用いて、0.5Torr減圧蒸留すると、Zr含量65ppmの精Hf(NMe2)4が得られる。それはLi,K,Cr,Ni,Ca,Cu,Mg,Na,Fe,Al,Zn,Co,Mn,Th,Uの不純物含有量が各々20ppb以下で、かつClが1ppm以下と非常に高純度であった。

請求項（抜粋）：

Zrの含有量が130ppm以下であることを特徴とする高純度テトラキスジメチルアミノハフニウム。

IPC (4件)：

C07F7/00 , C23C16/40 , H01L21/316 , H01L29/78

FI (4件)：

C07F7/00 Z , C23C16/40 , H01L21/316 X , H01L29/78 301G

Fターム (28件)：

4H049VN07 , 4H049VP01 , 4H049VQ39 , 4H049VR54 , 4H049VU24 , 4H049VW02 , 4H049VW05 , 4K030AA11 , 4K030BA10 , 4K030BA42 , 4K030LA02 , 4K030LA15 , 5F058BA20 , 5F058BC03 , 5F058BD05 , 5F058BF02 , 5F058BF06 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BF37 , 5F058BJ01 , 5F140AA00 , 5F140BD04 , 5F140BD11 , 5F140BD13 , 5F140BD17 , 5F140BE09 , 5F140BE10

引用特許：

審査官引用 (5件)

膜形成材料、膜形成方法、及び素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-059321 出願人：株式会社トリケミカル研究所
スパッタターゲット、ゲート絶縁膜および電子部品
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-195941 出願人：株式会社東芝
特開昭50-089299

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