特許
J-GLOBAL ID：200903010541316966

半導体装置

発明者：
澤村 健司

澤村 健司 について


出願人/特許権者：
沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 大西 健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-083121
公開番号（公開出願番号）：特開2000-349145
出願日： 2000年03月24日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 研磨工程を平均化するようなダミーのアクティブ領域を形成する。【解決手段】 実際に素子が形成されるアクティブ領域と、トレンチにより形成された素子分離領域と、実質的に長方形状に形成されたダミーのアクティブ領域とを有し、ダミーのアクティブ領域は短辺の寸法が1μm以下で0.5μm以上、長辺の寸法が0.5μm以上となっていることを特徴とする半導体装置。
請求項（抜粋）：
素子が形成されるアクティブ領域と、トレンチにより形成された素子分離領域と、実質的に長方形状に形成されたダミーのアクティブ領域とを有し、前記ダミーのアクティブ領域は短辺の寸法が1μm以下となっていることを特徴とする半導体装置。
Fターム (10件)：
5F032AA34 ,  5F032AA35 ,  5F032AA39 ,  5F032AA44 ,  5F032BA08 ,  5F032DA02 ,  5F032DA04 ,  5F032DA23 ,  5F032DA33 ,  5F032DA78
引用特許：
審査官引用 (6件)
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