炭化珪素単結晶ウェハ表面の仕上げ研磨方法

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：成瀬勝夫 , 中村智廣 , 鳥野正司 , 佐々木一也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-139721
公開番号（公開出願番号）：特開2007-311586
出願日： 2006年05月19日
公開日（公表日）： 2007年11月29日
要約：

【課題】本発明は、荒研磨(ラップ)した化学的に安定な炭化珪素単結晶ウェハ表面から加工変質層を除去して仕上げ研磨(ポリッシュ)することで、高品質な表面を得る効果的な方法を提供する。【解決手段】ダイヤモンド機械研磨で荒研磨(ラップ)した炭化珪素単結晶ウェハ表面を、酸化性が高い或いは溶存酸素を豊富に含むコロイダルシリカスラリーで仕上げ研磨(ポリッシュ)することで、ダイヤモンド機械研磨で発生した加工変質層を除去して高品質な表面を効率的に創成する研磨方法である。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

炭化珪素単結晶ウェハの表面を、酸化還元電位が少なくとも標準水素電極に対して700mV以上であるコロイダルシリカスラリーを用いて、研磨することを特徴とする炭化珪素単結晶ウェハ表面の仕上げ研磨方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 , B24B 37/00

FI (3件)：

H01L21/304 621D , B24B37/00 H , H01L21/304 622D

Fターム (6件)：

3C058AA07 , 3C058AA09 , 3C058CA01 , 3C058CA04 , 3C058DA12 , 3C058DA17

引用特許：

出願人引用 (1件)

SiC単結晶基板等の研磨による超平滑結晶面形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-097341 出願人：独立行政法人科学技術振興機構

審査官引用 (2件)

SiC基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-258665 出願人：松下電器産業株式会社
研磨用組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-211816 出願人：株式会社フジミインコーポレーテッド

引用文献：

審査官引用 (4件)

砥粒内包研磨パッドの開発(3)
Chemi-Mechanical Polishing of On-Axis Semi-Insulating SiC Substrates
Chemi-Mechanical Polishing of On-Axis Semi-Insulating SiC Substrates

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