特許
J-GLOBAL ID：200903010600651758

半導体製造方法および装置

発明者：
斉藤 由雄

斉藤 由雄 について

, 
都田 昌之

都田 昌之 について

, 
新田 雄久

新田 雄久 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-337826
公開番号（公開出願番号）：特開平10-178081
出願日： 1996年12月18日
公開日（公表日）： 1998年06月30日
要約：
【要約】【課題】搬送空間を不活性な雰囲気で高清浄な密閉空間に維持し、半導体ウエハの汚染を大幅に低減する。【解決手段】 搬送路2に設けられたノズル6から噴射される不活性ガスにより半導体ウエハWを浮上させながら反応室3まで非接触で搬送させる。反応室3における処理時には処理ガスノズル8から酸素ガスなどの処理ガスを噴射させ、半導体ウエハWを静止浮上させ、非接触で酸化膜の形成を行う。その後、ノズル6から不活性ガスの供給をし、再び非接触により半導体ウエハWを浮上させながら次工程まで搬送する。
請求項（抜粋）：
不活性ガスを被処理物に噴射して前記被処理物を搬送させる気流搬送により密閉雰囲気となった搬送路内を非接触で所定の位置まで搬送する工程と、前記被処理物に所定の処理ガスを供給しながら前記被処理物を加熱し、所定の処理を行う工程とを有したことを特徴とする半導体製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/68 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/324
FI (4件)：
H01L 21/68 A ,  H01L 21/31 B ,  H01L 21/324 S ,  H01L 21/302 B
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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