特許
J-GLOBAL ID:200903010619982569
光半導体素子用サブマウントおよびそのマウント方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
鈴江 武彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-331999
公開番号(公開出願番号):特開平9-172224
出願日: 1995年12月20日
公開日(公表日): 1997年06月30日
要約:
【要約】【課題】光半導体素子用サブマウントの信頼性を向上させる。【解決手段】高熱伝導性の電気絶縁材料で構成された光半導体素子マウント用のサブマウント基体1と、サブマウント基体の光半導体素子チップ6実装側の第1面および金属製放熱体7ダイボンド側の第2面の両面に対して、それぞれサブマウント基体表面から順に形成された第1層目にTiまたはCrからなる接着層(2a、2b)、第2層目にPtからなる拡散バリア層(3a、3b)、第3層目のAu層(4a、4b)および第4層目のAuSn半田層(5a、5b)とを具備し、第1面側に形成された第3層目のAu層および第4層目のAuSn半田層のAuの総量に対するSnの含有量が、第2面側に形成された第3層目のAu層および第4層目のAuSn半田層のAuの総量に対するSnの含有量より大きい。
請求項(抜粋):
高熱伝導性の電気絶縁材料で構成された光半導体素子マウント用のサブマウント基体と、前記サブマウント基体の光半導体素子チップが実装される側の第1面および金属製放熱体にダイボンドされる側の第2面の両面に対して、それぞれサブマウント基体表面から順に形成された第1層目にTiまたはCrからなる接着層、第2層目にPtからなる拡散バリア層、第3層目のAu層および第4層目のAuSn半田層とを具備し、前記第1面側に形成された第3層目のAu層および第4層目のAuSn半田層のAuの総量に対するSnの含有量が、前記第2面側に形成された第3層目のAu層および第4層目のAuSn半田層のAuの総量に対するSnの含有量より大きいことを特徴とする光半導体素子用サブマウント。
IPC (2件):
FI (2件):
引用特許:
出願人引用 (9件)
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半導体レーザ用サブマウント
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-004321
出願人:株式会社東芝
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光半導体素子用サブマウント
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-111466
出願人:三菱電機株式会社
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半導体レーザーのサブマウント
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-229504
出願人:田中貴金属工業株式会社
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半導体レーザ実装方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-334373
出願人:日本電気株式会社
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特開平2-128486
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半導体レーザモジュール
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-051174
出願人:日本電気株式会社
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特開平4-025088
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特開平2-128486
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特開平4-025088
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審査官引用 (7件)
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