窒化物系半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 峰隆司 , 福原淑弘 , 村松貞男 , 橋本良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-269955
公開番号（公開出願番号）：特開2006-086354
出願日： 2004年09月16日
公開日（公表日）： 2006年03月30日
要約：

【課題】高耐圧/低オン抵抗の窒化物系半導体装置を提供する。【解決手段】窒化物系半導体装置は、窒化物系半導体から実質的になる第1半導体層1と、第1半導体層上に配設されたノンドープ若しくは第1導電型の窒化物系半導体から実質的になる第2半導体層2と、を有する。第1及び第2半導体層はヘテロ界面を形成する。第2半導体層上にゲート電極11が配設される。ゲート電極を間に挟むように第2半導体層の表面内に第1及び第2トレンチ3、4が形成される。第1及び第2トレンチの表面内に、第1及び第2半導体層よりも低抵抗の拡散層から実質的になる第1導電型の第3及び第4半導体層5、6が形成される。第3及び4半導体層にソース電極15及びドレイン電極16が電気的に接続される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

窒化物系半導体から実質的になる第1半導体層と、前記第1半導体層上に配設されたノンドープ若しくは第1導電型の窒化物系半導体から実質的になる第2半導体層と、前記第1及び第2半導体層はヘテロ界面を形成することと、前記第2半導体層上に配設されたゲート電極と、前記ゲート電極を間に挟むように前記第2半導体層の表面内に形成された第1及び第2トレンチと、前記第1及び第2トレンチの表面内に形成された、前記第1及び第2半導体層よりも低抵抗の拡散層から実質的になる第1導電型の第3及び第4半導体層と、前記第3半導体層に電気的に接続されたソース電極と、前記第4半導体層に電気的に接続されたドレイン電極と、を具備することを特徴とする窒化物系半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 29/812 , H01L 21/338 , H01L 29/06 , H01L 29/778 , H01L 29/872 , H01L 29/47 , H01L 29/417

FI (6件)：

H01L29/80 F , H01L29/06 301F , H01L29/80 H , H01L29/48 F , H01L29/48 D , H01L29/50 J

Fターム (28件)：

4M104AA04 , 4M104CC03 , 4M104FF11 , 4M104GG08 , 4M104GG11 , 4M104GG12 , 5F102FA01 , 5F102FA02 , 5F102FA03 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ10 , 5F102GL04 , 5F102GL07 , 5F102GM04 , 5F102GM07 , 5F102GQ01 , 5F102GR07 , 5F102GR09 , 5F102GR15 , 5F102GR17 , 5F102GS03 , 5F102GS07 , 5F102GV05 , 5F102HC01 , 5F102HC10 , 5F102HC15

引用特許：

出願人引用 (10件)

GaN系高移動度トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-385219 出願人：古河電気工業株式会社
米国特許第6,548,333号明細書
特開2002-2899837公報

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審査官引用 (8件)

椎間空間への前方斜め挿入用の人工器官
公報種別：公表公報出願番号：特願2006-508741 出願人：エスディージーアイ・ホールディングス・インコーポレーテッド
特開昭63-090173
特開平2-140944

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