特許
J-GLOBAL ID：200903010668821775

半導体レーザ

発明者：
安部 克則

安部 克則 について

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木村 裕治

木村 裕治 について

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渥美 欣也

渥美 欣也 について

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上野 祥樹

上野 祥樹 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (3件)： 碓氷 裕彦 ,  加藤 大登 ,  伊藤 高順
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-251435
公開番号（公開出願番号）：特開2004-336085
出願日： 2004年08月31日
公開日（公表日）： 2004年11月25日
要約：
【課題】 大出力で、かつ、円形に近いビーム形状のレーザ光を得ることができる半導体レーザを提供することにある。【解決手段】 n-GaAs基板1上にn-GaAs層2が形成され、その上にn-Al0.4Ga0.6Asクラッド層3、n-Al0.2Ga0.8As光ガイド層4、Al0.2Ga0.8As/GaAs多重量子井戸構造からなる活性層5、p-Al0.4Ga0.6Asクラッド層7、p-GaAs層8がメサ形に積層されている。活性層5と光ガイド層4との合計の厚さが1.5μm以上となっている。n-GaAs層2およびメサ状部の上面には絶縁膜9およびp型電極10が形成されている。ストライプ幅は400μmとなっている。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
ストライプ幅が100μm以上である半導体レーザであって、 キャリアである電子および正孔が注入され、該注入されたキャリアを再結合させることで光を発生する活性層と、 前記活性層に対して前記電子を注入する側に少なくとも形成され、前記活性層よりも実質的に屈折率の低い材料で構成されて前記活性層で発生された前記光を閉じ込める光ガイド層と、 前記光ガイド層を含めた前記活性層の上下に形成され、前記光ガイド層よりも実質的に屈折率の低い材料で構成されたクラッド層とを有し、 前記活性層と前記光ガイド層との厚さの合計が1.5μm以上とされ、かつ、 前記電子および正孔の前記クラッド層から前記活性層に到達する距離が前記正孔の方において前記電子よりも短くされていることを特徴とする半導体レーザ。
IPC (1件)：
H01S5/22
FI (1件)：
H01S5/22 610
Fターム (7件)：
5F173AA12 ,  5F173AF53 ,  5F173AH02 ,  5F173AR14 ,  5F173AR53 ,  5F173AR62 ,  5F173AR96
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 特開昭55-143092号公報
  • 特開平4-151887号公報
  • 特開昭61-79288号公報
審査官引用 (11件)
  • 半導体レーザ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-019563   出願人：日本電装株式会社
  • 特開昭59-048972
  • 特開平2-148874
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