特許
J-GLOBAL ID：200903090270992506
半導体光素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡辺 喜平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-031041
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077458
出願日： 2000年02月08日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：
【要約】【課題】 半導体光素子の非発光の原因となる欠陥の増殖を抑制することにより、寿命が長くかつ信頼性の高い半導体光素子の提供を目的とする。【解決手段】 p型半導体基板101上に、活性領域である半導体として、p型クラッド層102,光ガイド層104a,活性層103,光ガイド層104b,n型クラッド層105及びn型コンタクト層106を順に形成し、さらに、結合エネルギーの大きいデバイス保護層107を形成することによって、非発光の点欠陥が拡散および増殖することを抑制し、高出力動作を長時間にわたり行なうことができ、長寿命かつ信頼性の高い半導体光素子1を提供することができる。
請求項（抜粋）：
活性領域である半導体と、この半導体の表面の一部に光入出力部を有する半導体光素子において、この光入出力部を除く前記半導体の表面の少なくとも一部を覆うデバイス保護層を備え、このデバイス保護層は、前記半導体に点在する非発光の点欠陥の拡散を抑制する結合エネルギーが、前記半導体の結合エネルギーより大きいことを特徴とする半導体光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (10件)：
5F073AA05
, 5F073AA22
, 5F073AA45
, 5F073AA73
, 5F073AA74
, 5F073CA07
, 5F073CA22
, 5F073CB10
, 5F073DA06
, 5F073EA28
審査官引用 (6件)
-
半導体発光素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願平8-106695
出願人：松下電器産業株式会社
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半導体発光装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平5-142224
出願人：ローム株式会社
-
光半導体装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平6-042364
出願人：株式会社東芝
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