特許
J-GLOBAL ID：200903070067491142

半導体レーザ

発明者：
早川 利郎

早川 利郎 について

, 
福永 敏明

福永 敏明 について


出願人/特許権者：
富士写真フイルム株式会社

富士写真フイルム株式会社 について


代理人 (1件)： 柳田 征史 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-064658
公開番号（公開出願番号）：特開2001-257431
出願日： 2000年03月09日
公開日（公表日）： 2001年09月21日
要約：
【要約】【課題】 基本横モード半導体レーザにおいて、高出力時まで安定な基本モード発振を維持する。【解決手段】 屈折率導波構造および電流狭窄構造を備えた基本横モード発振する半導体レーザにおいて、量子井戸層6の上下に光ガイド層5,7を備え、上部光ガイド層7の厚みを下部光ガイド層5の厚みより薄くする。さらに、光ガイド層5,7の合計厚みを0.5μm以上とし、電流狭窄層8のストライプ溝底面である電流狭窄構造の底部から量子井戸層6の上面までの距離を0.25μm未満とする。
請求項（抜粋）：
下部クラッド層、下部光ガイド層、量子井戸層、上部光ガイド層および上部クラッド層がこの順に積層されてなる、屈折率導波構造を備えた基本モード発振する半導体レーザであって、前記上部光ガイド層の上方に電流狭窄構造を備え、前記上部光ガイド層が下部光ガイド層よりも薄いことを特徴とする半導体レーザ。
IPC (2件)：
H01S 5/343 ,  H01S 5/22
FI (2件)：
H01S 5/343 ,  H01S 5/22
Fターム (12件)：
5F073AA13 ,  5F073AA74 ,  5F073BA04 ,  5F073CA05 ,  5F073CA13 ,  5F073CB02 ,  5F073CB08 ,  5F073DA05 ,  5F073DA22 ,  5F073EA17 ,  5F073EA18 ,  5F073EA24
引用特許：
審査官引用 (12件)
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