特許
J-GLOBAL ID：200903010698475081
発光素子及び発光素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
菅原 正倫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-155921
公開番号（公開出願番号）：特開2005-019424
出願日： 2003年05月30日
公開日（公表日）： 2005年01月20日
要約：
【課題】コンタクト金属層及び反射用の金属層を介して素子基板を発光層部に結合した発光素子において、コンタクト金属層の合金化熱処理を行っても、該コンタクト金属層からの成分拡散の影響が発光層部に及びにくい発光素子を提供する。【解決手段】発光素子100において、化合物半導体層60と主金属層10との間に、該主金属層10と化合物半導体層60との接触抵抗を減ずるためにコンタクト金属層32が配置されている。そして、化合物半導体層60の、コンタクト金属層32と発光層部24との間に位置する部分が、発光層部24からの発光光束に対して透光性を有し、かつ、コンタクト金属層32から発光層部24への成分拡散を抑制する拡散ブロック用半導体層25とされている。拡散ブロック用半導体層25をAlGaAsで構成すると、コンタクト金属層32から発光層部24へのGe、Ni及びAuの拡散抑制に効果がある。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
発光層部を有した化合物半導体層の第一主表面を光取出面とし、該化合物半導体層の第二主表面側に、前記発光層部からの光を前記光取出面側に反射させる反射面を有した主金属層を介して素子基板が結合された発光素子であって、
前記化合物半導体層と前記主金属層との間には、該主金属層と化合物半導体層との接触抵抗を減ずるためにコンタクト金属層が配置されてなり、かつ、前記化合物半導体層の、前記コンタクト金属層と前記発光層部との間に位置する部分が、前記発光層部からの発光光束に対して透光性を有し、かつ、前記コンタクト金属層から前記発光層部への、コンタクト金属層からの成分拡散を抑制する拡散ブロック用半導体層とされたことを特徴とする発光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (12件)：
5F041AA03
, 5F041CA04
, 5F041CA13
, 5F041CA33
, 5F041CA34
, 5F041CA36
, 5F041CA65
, 5F041CA77
, 5F041CA85
, 5F041CA92
, 5F041CA93
, 5F041CB15
出願人引用 (3件)
審査官引用 (7件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)
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薄膜光学ハンドブック, 19981020, 第1版, 216頁〜217頁
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