特許

J-GLOBAL ID：200903010733158426

積層体、積層体の形成方法、絶縁層ならびに半導体基板

発明者： 関口 学 ,  三田 倫広 ,  小久保 輝一
出願人/特許権者： JSR株式会社
代理人 (3件)： 大渕 美千栄 ,  布施 行夫 ,  井上 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-351843
公開番号（公開出願番号）：特開2005-116925
出願日： 2003年10月10日
公開日（公表日）： 2005年04月28日
要約：

【課題】 半導体装置における層間絶縁層材料として使用でき、加工プロセス時に用いるプラズマに対する耐性に優れた積層体およびその形成方法、前記積層体からなる絶縁層、ならびに前記絶縁層が形成された半導体基板を提供する。【解決手段】 本発明の積層体100は、アルコキシシラン加水分解縮合物を硬化して得られ、比誘電率が2.5以下である第1の層20と、アルコキシシラン加水分解縮合物を硬化して得られ、比誘電率が2.5を超える第2の層22とが積層されてなる。第1の層20の比誘電率と第2の層22の比誘電率との差は0.3以上である。さらに、第1の層20と第2の層22との間には、Siを含有し、かつO、C、N、Hの群から選ばれる少なくとも1種の元素を含有する第3の層24が形成されている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

アルコキシシラン加水分解縮合物を硬化して得られ、比誘電率が2.5以下である第1の層と、アルコキシシラン加水分解縮合物を硬化して得られ、比誘電率が2.5を超える第2の層とが積層されてなり、前記第1の層の比誘電率と前記第2の層の比誘電率との差が0.3以上であり、かつ前記第1の層と前記第2の層との間に、Siを含有し、かつO、C、N、Hの群から選ばれる少なくとも1種の元素を含有する第3の層が形成された、積層体。

IPC (3件)：

H01L21/312 ,  B32B27/00 ,  H01L21/768

FI (4件)：

H01L21/312 M ,  B32B27/00 101 ,  H01L21/90 S ,  H01L21/90 Q

Fターム (101件)：

4F100AK52A ,  4F100AK52B ,  4F100AK52C ,  4F100AT00D ,  4F100BA03 ,  4F100BA04 ,  4F100BA07 ,  4F100BA26 ,  4F100EH46 ,  4F100EJ42 ,  4F100EJ52 ,  4F100GB41 ,  4F100JG04 ,  4F100JG05A ,  4F100JG05B ,  4F100YY00A ,  4F100YY00B ,  4J246AA02 ,  4J246AA03 ,  4J246AA19 ,  4J246BA030 ,  4J246BA040 ,  4J246BA050 ,  4J246BA070 ,  4J246BA130 ,  4J246BA140 ,  4J246BA16X ,  4J246BA160 ,  4J246BA170 ,  4J246BA230 ,  4J246BA250 ,  4J246BA260 ,  4J246BA270 ,  4J246BB02X ,  4J246BB020 ,  4J246BB021 ,  4J246BB022 ,  4J246BB130 ,  4J246BB131 ,  4J246BB200 ,  4J246BB201 ,  4J246CA019 ,  4J246CA049 ,  4J246CA219 ,  4J246CA24X ,  4J246CA249 ,  4J246FA441 ,  4J246GC51 ,  4J246GC52 ,  4J246HA63 ,  4J246HA69 ,  5F033HH11 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033KK01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP14 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ54 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ89 ,  5F033QQ91 ,  5F033RR04 ,  5F033RR09 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033RR25 ,  5F033SS03 ,  5F033SS15 ,  5F033SS22 ,  5F033VV16 ,  5F033WW00 ,  5F033XX00 ,  5F033XX24 ,  5F033XX28 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AD05 ,  5F058AF04 ,  5F058AH02 ,  5F058BA20 ,  5F058BC05 ,  5F058BD07 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ02

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 膜形成用組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-334267   出願人：ジェイエスアール株式会社
• 膜形成用組成物、絶縁膜形成用材料およびシリカ系膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-157642   出願人：ジェイエスアール株式会社

審査官引用 (3件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-043242   出願人：富士通株式会社
• 絶縁膜形成用材料、絶縁膜及びその形成方法並びに半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-338502   出願人：富士通株式会社
• シリコン系組成物、低誘電率膜、半導体装置および低誘電率膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-084475   出願人：富士通株式会社