シリコン系組成物、低誘電率膜、半導体装置および低誘電率膜の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：土井健二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-084475
公開番号（公開出願番号）：特開2002-284998
出願日： 2001年03月23日
公開日（公表日）： 2002年10月03日
要約：

【要約】【課題】誘電率が小さく、酸やアルカリなどの耐薬品性および耐湿性にも優れた低誘電率膜、このような低誘電率膜を形成するためのシリコン系組成物、このような低誘電率膜を使用したデバイスの応答速度が速い半導体集積回路、およびこのような低誘電率膜の製造方法を提供する。【解決手段】シロキサン樹脂と、1分子中の主鎖中における、-X-結合[Xは(C)m(m=1〜3)または炭素数が9以下の、置換基を有していても良い芳香族基]を形成する炭素原子とケイ素原子との数比が、2/1〜12/1であり、実質的にケイ素と炭素と水素とよりなるシリコン化合物と、溶剤とを含む組成物を加熱処理して低誘電率膜を形成する。

請求項（抜粋）：

シロキサン樹脂と、1分子中の主鎖中における、-X-結合[Xは(C)m(m=1〜3)または炭素数が9以下の、置換基を有していても良い芳香族基]を形成する炭素原子とケイ素原子との数比が、2/1〜12/1であり、実質的にケイ素と炭素と水素とよりなるシリコン化合物と、溶剤とを含む組成物。

IPC (10件)：

C08L 83/04 , C08J 9/26 CFH , C08J 9/26 102 , C08K 5/00 , C08L 83/16 , C09D183/04 , C09D183/16 , H01L 21/312 , H01L 21/316 , H01L 21/768

FI (11件)：

C08L 83/04 , C08J 9/26 CFH , C08J 9/26 102 , C08K 5/00 , C08L 83/16 , C09D183/04 , C09D183/16 , H01L 21/312 C , H01L 21/316 G , H01L 21/90 P , H01L 21/90 S

Fターム (109件)：

4F074AA24 , 4F074AA48 , 4F074AA61 , 4F074AA64 , 4F074AA65 , 4F074AA88 , 4F074AA90 , 4F074AD01 , 4F074AD12 , 4F074CB02 , 4F074CB16 , 4F074CB17 , 4F074CB34 , 4F074CC04Y , 4F074CC06Y , 4F074DA24 , 4F074DA47 , 4J002AA003 , 4J002BB123 , 4J002BG033 , 4J002CC033 , 4J002CD003 , 4J002CF003 , 4J002CP03W , 4J002CP21X , 4J002EA016 , 4J002EA027 , 4J002EC046 , 4J002ED026 , 4J002EE036 , 4J002EH156 , 4J002EJ017 , 4J002EU117 , 4J002FD206 , 4J002FD207 , 4J002GQ05 , 4J038DL031 , 4J038DL032 , 4J038DL051 , 4J038DL052 , 4J038DL071 , 4J038DL072 , 4J038KA06 , 4J038KA07 , 4J038LA02 , 4J038MA12 , 4J038NA17 , 4J038PA19 , 4J038PB09 , 4J038PC03 , 5F033HH10 , 5F033HH11 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033JJ19 , 5F033JJ33 , 5F033KK10 , 5F033KK11 , 5F033KK21 , 5F033KK32 , 5F033KK33 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM05 , 5F033MM08 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ12 , 5F033QQ25 , 5F033QQ35 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR23 , 5F033RR25 , 5F033RR29 , 5F033SS02 , 5F033SS04 , 5F033SS11 , 5F033SS15 , 5F033SS22 , 5F033TT03 , 5F033WW00 , 5F033WW03 , 5F033WW04 , 5F033WW09 , 5F033XX19 , 5F033XX24 , 5F033XX25 , 5F058AC03 , 5F058AF04 , 5F058AG01 , 5F058AG04 , 5F058AH02 , 5F058BC02 , 5F058BF27 , 5F058BF46 , 5F058BH01 , 5F058BH12 , 5F058BJ02

引用特許：

出願人引用 (22件)

硬化性シルフェニレン系ポリマー組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-369564 出願人：東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社
膜形成用組成物、膜の形成方法および低密度膜
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-174344 出願人：ジェイエスアール株式会社
ケイ素系化合物を主成分とする予備硬化物及びそれを用いた成形体の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-030653 出願人：鐘淵化学工業株式会社

全件表示

審査官引用 (24件)

硬化性シルフェニレン系ポリマー組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-369564 出願人：東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社
高耐熱絶縁電線
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-155912 出願人：日立電線株式会社
樹脂組成物、その製造方法および成形物
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-076094 出願人：大阪瓦斯株式会社

全件表示

前のページに戻る