特許
J-GLOBAL ID:200903010785243847

有機電界発光表示装置およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 亀谷 美明 ,  金本 哲男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-036839
公開番号(公開出願番号):特開2005-227788
出願日: 2005年02月14日
公開日(公表日): 2005年08月25日
要約:
【課題】補助電源ラインを用いることにより,輝度等を向上させて大型化を可能にする全面発光有機電界発光表示装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】有機電界発光表示装置は,薄膜トランジスタのソース/ドレイン電極261,262と同一層上に形成される電源ラインVDD(n),VDD(n+1)と,薄膜トランジスタ上に形成される第1絶縁膜230上に配置され,このソース/ドレイン電極と電気的に接続される下部電極281,282と,この下部電極と同一層上に形成される第1補助電源ラインVDDa(n)および第2補助電源ラインVSS(n+1)と,第2補助電源ラインVSS(n+1)上には形成されずに,下部電極281,282のエッジ部上に形成され,下部電極281,282の一部を露出させる開口部を有する第2絶縁膜285と,有機膜290および上部電極295と,を含んで構成される。【選択図】 図3
請求項(抜粋):
薄膜トランジスタを備える基板上に形成され,前記薄膜トランジスタのソースまたはドレイン電極と同一層上に形成される電源ラインと; 前記薄膜トランジスタ上に形成される第1絶縁膜と; 前記第1絶縁膜上に配置され,前記薄膜トランジスタのソースまたはドレイン電極と電気的に接続される下部電極と; 前記下部電極と同一層上に形成される第1補助電源ラインおよび第2補助電源ラインと; 前記第2補助電源ライン上には形成されずに,前記下部電極のエッジ部上に形成され,前記下部電極の一部を露出させる開口部を有する第2絶縁膜と; 前記基板上に形成される有機膜と; 前記基板上に形成される上部電極と;を備えることを特徴とする,有機電界発光表示装置。
IPC (4件):
G09F9/30 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 ,  H05B33/26
FI (5件):
G09F9/30 338 ,  G09F9/30 365Z ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/26 Z
Fターム (16件):
3K007AB17 ,  3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007CC00 ,  3K007DB03 ,  3K007FA00 ,  3K007GA00 ,  5C094AA07 ,  5C094AA14 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094CA19 ,  5C094DA09 ,  5C094DA13 ,  5C094DB01 ,  5C094FB01
引用特許:
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (6件)
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