特許
J-GLOBAL ID：200903010793886285

窒化物系半導体発光素子およびその製造方法

発明者：
幡 俊雄

幡 俊雄 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-042630
公開番号（公開出願番号）：特開2006-319311
出願日： 2006年02月20日
公開日（公表日）： 2006年11月24日
要約：
【課題】窒化物系半導体層と導電性基板との接着性が高く信頼性の高い窒化物系半導体発光素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】導電性基板1に形成されているパターン面20aと、パターン面20a上に形成されている多層金属層49と、多層金属層49上に形成されている多層半導体層19とを含み、多層金属層49および多層半導体層19の主面49m,49n,19m,19nは、パターン面20aよりも面積が小さく、多層半導体層19はp型窒化物系半導体層14、発光層13およびn型窒化物系半導体層12を含むことを特徴とする窒化物系半導体発光素子。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
導電性基板に形成されているパターン面と、前記パターン面上に形成されている多層金属層と、前記多層金属層上に形成されている多層半導体層とを含み、 前記多層金属層および前記多層半導体層の主面は、前記パターン面よりも面積が小さく、前記多層半導体層は、p型窒化物系半導体層、発光層およびn型窒化物系半導体層を含むことを特徴とする窒化物系半導体発光素子。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (1件)：
H01L33/00 C
Fターム (17件)：
5F041AA21 ,  5F041AA25 ,  5F041AA31 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA33 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA75 ,  5F041CA76 ,  5F041CA77 ,  5F041CA84 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CB36
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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