CMP研磨剤及び基板の研磨方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：穂高哲夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-327297
公開番号（公開出願番号）：特開2002-134444
出願日： 2000年10月26日
公開日（公表日）： 2002年05月10日
要約：

【要約】【課題】研磨面の高平坦化が可能で、酸化珪素絶縁膜等の被研磨面を傷なく、高速に研磨することが可能なことに加えて、保存安定性を改良したCMP研磨剤を提供する。【解決手段】酸化セリウム粒子、分散剤、ビニルピロリドン共重合体からなる添加剤及び水を含むCMP研磨剤。

請求項（抜粋）：

酸化セリウム粒子、分散剤、ビニルピロリドン共重合体からなる添加剤及び水を含むCMP研磨剤。

IPC (5件)：

H01L 21/304 622 , B24B 37/00 , C09K 3/14 550 , C09K 3/14 , H01L 21/306

FI (5件)：

H01L 21/304 622 D , B24B 37/00 H , C09K 3/14 550 D , C09K 3/14 550 Z , H01L 21/306 M

Fターム (11件)：

3C058CB02 , 3C058CB03 , 3C058DA02 , 3C058DA12 , 3C058DA17 , 5F043AA31 , 5F043BB22 , 5F043BB30 , 5F043DD16 , 5F043FF07 , 5F043GG10

引用特許：

出願人引用 (7件)

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審査官引用 (7件)

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