特許
J-GLOBAL ID：200903010912609937

磁気メモリ

発明者：
古賀 啓治

古賀 啓治 について


出願人/特許権者：
TDK株式会社

TDK株式会社 について


代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  青木 博昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-047121
公開番号（公開出願番号）：特開2007-227653
出願日： 2006年02月23日
公開日（公表日）： 2007年09月06日
要約：
【課題】 記録密度を向上可能な磁気メモリを提供する。【解決手段】 磁気抵抗効果素子MRは、第2配線W2と共通配線WCとの間にも位置している。磁気抵抗効果素子MRは、スピンフィルタSFを介することなく第2配線W2に電気的に接続されている。読み出し電流IRの供給用の第2配線W2と共通配線WCとの間に、読み出し電流IRを供給すると、これはスピンフィルタSFを介していないため、磁気抵抗効果素子MR内には、スピン分極電流が供給されず、感磁層Fの磁化反転は困難となる。記録密度を向上させるように、感磁層Fの面積を小さくして、書き込み電流IWを低減させた構造においても、読み出し電流IRの供給によっては磁化反転が生じず、読み出し電流IRを書き込み電流IWに比較して著しく小さくすることなく情報の読み出しを行うことができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
複数の記憶領域を配列してなる磁気メモリにおいて、 個々の前記記憶領域は、 書き込み電流供給用の第1配線と、 読み出し電流供給用の第2配線と、 共通配線と、 磁気抵抗効果素子と、 前記磁気抵抗効果素子に設けられたスピンフィルタと、 を備え、 前記磁気抵抗効果素子は、 前記第1配線と前記共通配線との間に位置し、 前記第2配線と前記共通配線との間に位置し、 前記共通配線に電気的に接続され、 前記スピンフィルタを介して前記第1配線に電気的に接続されており、 前記スピンフィルタを介することなく前記第2配線に電気的に接続されている、 ことを特徴とする磁気メモリ。
IPC (4件)：
H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08 ,  G11C 11/15
FI (3件)：
H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z ,  G11C11/15 110
Fターム (23件)：
4M119AA03 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119DD02 ,  4M119DD26 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119EE24 ,  4M119EE27 ,  4M119JJ03 ,  4M119JJ12 ,  5F092AA12 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092BB17 ,  5F092BB31 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB51 ,  5F092BB55
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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