特許
J-GLOBAL ID：200903030536903021

フォトマスク

発明者：
山岸 肇

山岸 肇 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-172123
公開番号（公開出願番号）：特開2005-353789
出願日： 2004年06月10日
公開日（公表日）： 2005年12月22日
要約：
【課題】トンネル磁気抵抗素子を構成する記録層を形成する際、記録層の平面形状を確実に菱形に類似した形状とすることを可能とする、記録層を形成するためのリソグラフィ工程において使用されるフォトマスクを提供することにある。【解決手段】フォトマスクには、第1形状51と第2形状52とから成り、第1形状51から第2形状52が2箇所において突出した重ね合わせ形状を有するパターンが形成され、第1形状は、正多角形、楕円形、長円形及び扁平な円形から成る形状群から選択された1種類の形状から成り、第2形状は、正多角形、円形、楕円形、長円形及び扁平な円形から成る形状群から選択された1種類の形状から成る、【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
不揮発性磁気メモリ装置における磁気抵抗素子を構成する記録層であって、 (A)磁化反転状態に依存して抵抗値が変化することで情報を記憶する強磁性体材料から成り、 (B)平面形状は、菱形疑似形状であり、 (C)菱形疑似形状を構成する辺は、その中央部に直線部分を有し、若しくは、菱形疑似形状の外側方向に向かって、その中央部が湾曲した滑らかな曲線から成り、 (D)磁化容易軸は、菱形疑似形状の長軸と略平行であり、 (E)磁化困難軸は、菱形疑似形状の短軸と略平行であり、且つ、 (F)各辺は、相互に滑らかに結ばれている、 ところの記録層を形成するために、リソグラフィ工程において使用されるフォトマスクであって、 第1形状と第2形状とから成り、 第1形状と、第1形状の中心点と中心点が一致した第2形状とが、第1形状から第2形状が2箇所において突出した重ね合わせ形状を有しており、 第1形状の中心点を通る第1形状軸線と第2形状の中心点を通る第2形状軸線とは直交しており、 第1形状は、磁化容易軸と略平行である第1形状軸線に沿った長さが2Lp-1L、第1形状の中心点を通り、第1形状軸線に垂直な方向の長さが2Lp-1S[但し、Lp-1S<Lp-1L]である正多角形、楕円形、長円形及び扁平な円形から成る形状群から選択された1種類の形状から成り、且つ、 第2形状は、磁化困難軸と略平行である第2形状軸線に沿った長さが2Lp-2L[但し、Lp-1S<Lp-2L<Lp-1L]、第2形状の中心点を通り、第2形状軸線に垂直な方向の長さが2Lp-2S[但し、Lp-2S<Lp-1L]である正多角形、円形、楕円形、長円形及び扁平な円形から成る形状群から選択された1種類の形状から成る、 ところのパターンが設けられていることを特徴とするフォトマスク。
IPC (3件)：
H01L27/105 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12
FI (4件)：
H01L27/10 447 ,  H01L43/08 P ,  H01L43/08 Z ,  H01L43/12
Fターム (16件)：
5F083FZ10 ,  5F083GA15 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA56 ,  5F083LA01 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA19 ,  5F083PR07 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 米国特許第6081445号
  • 米国特許公報6545906B1
  • 米国特許公報6633498B1
審査官引用 (4件)
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