ポジ型ホトレジスト組成物およびこれを用いた多層レジスト材料

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川洋子 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-130773
公開番号（公開出願番号）：特開平9-043841
出願日： 1996年04月26日
公開日（公表日）： 1997年02月14日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】高解像性で、断面形状に優れたレジストパターンの形成が可能なポジ型ホトレジスト組成物、およびこれを用いた多層レジスト材料を提供する。【解決手段】 (A)アルカリ可溶性樹脂と、(B)下記一般式(I)(式中、R1 、R2 、R3 はそれぞれ独立に水素原子、炭素原子数1〜3のアルキル基または炭素原子数1〜3のアルコキシ基;R4 は水素原子または炭素原子数1〜3のアルキル基;a、b、cは1〜3の整数;1、m、nは1〜3の整数である)で表される1種のフェノール化合物中の水酸基の一部がキノンジアジドスルホン酸エステル化、および下記一般式(II)(式中、R5 はアルキル基、置換基を有するアルキル基等、を表す)で表される基でスルホン酸エステル化された混合エステルを感光性成分として含有するポジ型ホトレジスト組成物、およびこれ形成されるポジ型ホトレジスト層を基板上の反射防止層上に設けた多層レジスト材料。

請求項（抜粋）：

(A)アルカリ可溶性樹脂と、(B)下記一般式(I)【化1】(式中、R1 、R2 、R3 はそれぞれ独立に水素原子、炭素原子数1〜3のアルキル基または炭素原子数1〜3のアルコキシ基であり;R4 は水素原子または炭素原子数1〜3のアルキル基であり;a、b、cは1〜3の整数であり;1、m、nは1〜3の整数である)で表される少なくとも1種のフェノール化合物中の水酸基の一部がキノンジアジドスルホン酸エステル化、および下記一般式(II)【化2】(式中、R5 はアルキル基、置換基を有するアルキル基、アルケニル基、アリール基または置換基を有するアリール基を表す)で表される基でスルホン酸エステル化された混合エステルを感光性成分として含有してなる、ポジ型ホトレジスト組成物。

IPC (4件)：

G03F 7/022 , G03F 7/11 503 , G03F 7/26 511 , H01L 21/027

FI (6件)：

G03F 7/022 , G03F 7/11 503 , G03F 7/26 511 , H01L 21/30 502 R , H01L 21/30 573 , H01L 21/30 574

引用特許：

審査官引用 (15件)

ポジ型フオトレジスト組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-085856 出願人：富士写真フイルム株式会社
ポジ型感光性樹脂組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-199759 出願人：東京応化工業株式会社
ポジ型感光性組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-177238 出願人：三菱化成株式会社

全件表示

前のページに戻る