半導体装置及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-259145
公開番号（公開出願番号）：特開2003-069013
出願日： 2001年08月29日
公開日（公表日）： 2003年03月07日
要約：

【要約】【課題】ゲート絶縁膜の膜厚がSiO2換算膜厚2nm以下となるとゲート絶縁膜の膜厚バラツキに起因した移動度の劣化が顕在化しドレイン電流が低下する。次世代高性能電界効果トランジスタの実用化のためには、移動度の劣化を押さえて現在実用化されている移動度の値と同程度にしなければならない。【解決手段】微細電界効果トランジスタに於いて、ゲート絶縁膜とゲート電極の界面の凹凸を原子スケールで制御する。ゲート絶縁膜の膜厚バラツキを低減させることで高移動度の電界効果トランジスタを製造する。ゲート絶縁膜としては、従来のSiO2熱酸化膜に限らず高誘電率の材料を用いた際にも電界効果トランジスタの高移動度化を達成できる。

請求項（抜粋）：

二酸化シリコンの比誘電率をεSiO2とし、ゲート絶縁膜の比誘電率をεoxとするときに、前記ゲート絶縁膜の物理膜厚の平均値をtoxとして、式tEOT=tox・εox/εSiO2で与えられる二酸化シリコン換算のゲート絶縁膜厚(tEOT)が2nm以下であるゲート絶縁膜を有し、且つ電界効果トランジスタのチャネル部分の上部に存在するゲート絶縁膜の物理膜厚の最大値と最小値の差(Δ)と該物理膜厚の平均値(tox)の比(Δ/tox)が10%以下であることを特徴とする絶縁ゲート型電界効果トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/78 , H01L 21/283 , H01L 21/8234 , H01L 27/088

FI (3件)：

H01L 21/283 C , H01L 29/78 301 G , H01L 27/08 102 C

Fターム (73件)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104BB20 , 4M104BB32 , 4M104BB40 , 4M104CC05 , 4M104DD03 , 4M104DD04 , 4M104DD37 , 4M104DD42 , 4M104DD45 , 4M104DD55 , 4M104DD84 , 4M104EE03 , 4M104EE08 , 4M104EE16 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 5F048AA08 , 5F048AB03 , 5F048AC01 , 5F048BA01 , 5F048BB05 , 5F048BB13 , 5F048BB16 , 5F048BC05 , 5F048BC06 , 5F048BF06 , 5F048DA23 , 5F140AA00 , 5F140AA01 , 5F140AB03 , 5F140BA01 , 5F140BD11 , 5F140BD12 , 5F140BD13 , 5F140BE07 , 5F140BE16 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF10 , 5F140BF13 , 5F140BF20 , 5F140BF21 , 5F140BF24 , 5F140BF27 , 5F140BF35 , 5F140BF60 , 5F140BG03 , 5F140BG12 , 5F140BG14 , 5F140BG32 , 5F140BG35 , 5F140BG40 , 5F140BG52 , 5F140BG53 , 5F140BH15 , 5F140BH35 , 5F140BJ08 , 5F140BJ11 , 5F140BJ17 , 5F140BJ20 , 5F140BJ27 , 5F140BK02 , 5F140BK05 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140BK29 , 5F140BK34 , 5F140BK38 , 5F140BK39 , 5F140CA03

引用特許：

審査官引用 (4件)

酸化膜の形成方法および半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-021184 出願人：松下電器産業株式会社
ゲート酸化膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-036369 出願人：日本電気株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-113141 出願人：日本電気株式会社

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引用文献：

審査官引用 (2件)

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