特許
J-GLOBAL ID：200903010977279020
炭化シリコン(SiC)トランジスタ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
園田 吉隆 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-529756
公開番号（公開出願番号）：特表2002-502127
出願日： 1999年02月02日
公開日（公表日）： 2002年01月22日
要約：
【要約】高電圧下で高周波数のスイッチングを行うSiCトランジスタはMISFETまたはIGBTである。【解決手段】 このトランジスタはラテラル方向に離隔した複数の活性領域(16)を有する。2つの隣接する活性領域の中心環距離は当該トランジスタのセルのラテラル方向の幅である。それぞれのセルにおいてゲート-絶縁層(11)に接続するドリフト層内の領域として定義される蓄積層のラテラル方向の幅(Wa)とラテラル方向のセル幅(Wc)との関係は、トランジスタが設計されたスイッチング周波数とオン状態電圧の条件の下でスイッチングに起因するパワー損失をトランジスタの導電に起因するパワー損失の一定比率以下にするように選択される。
請求項（抜粋）：
絶縁ゲートを有し、高電圧下で多数のスイッチングを行う、(a)MISFETあるいは(b)IGBTの形態のSiCトランジスターでさらに、記載の順番に積層されたドレイン、a)n型およびb)p型、p型の場合にはその上にc)高密度にドープされたn型緩衝層(3)を有するかあるいはd)当該緩衝層が無い高密度にドープされた基板層(2)、低密度にドープされたn型のドリフト層(4)を有し、さらに、ラテラル方向に離隔した複数のユニットセル(16)、それぞれのユニットセルは高密度にドープされたn型のソース領域層(6)と、ソース領域層の上に形成されたソース(7)、ソース領域層をドリフト層から分離しているp型のチャンネル領域層(5、14)と、チャンネル領域層に隣接してソース領域層からドリフト層とチャンネル領域層と隣接するユニットセルのソース領域層とまで伸びる絶縁層(11)と、絶縁層の上に形成されてチャンネル領域層の絶縁層との接合部で電圧が加えられたときにソースからドレンに電子を移送するゲート電極(12)を有し、隣接する2つのユニットセルの中心間距離(Wc)がトランジスタのユニットセルのラテラル方向の幅を規定するトランジスタであって、 それぞれのセルの絶縁層に接続したドリフト層の領域として規定される蓄積層(13)の幅(Wd)とラテラル方向のセル幅が、トランジスタが設計された所定のスイッチング周波数とオン状態電圧の条件の下で、トランジスタの総合パワー損失を最小限にし、スイッチングに起因するトランジスタのパワー損失と導電に起因するパワー損失との所定の範囲に抑えるように選択されていることを特徴とするSiCトランジスタ。
IPC (5件)：
H01L 29/78 655
, H01L 29/78 652
, H01L 29/78
, H01L 29/78 653
, H01L 29/16
H01L 29/78 655 A
, H01L 29/78 652 T
, H01L 29/78 652 H
, H01L 29/78 653 A
, H01L 29/16
