特許
J-GLOBAL ID：200903011013170794
薄膜コンデンサ、及び薄膜コンデンサの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
長谷川 芳樹
, 黒木 義樹
, 三上 敬史
, 石坂 泰紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-066202
公開番号（公開出願番号）：特開2009-267376
出願日： 2009年03月18日
公開日（公表日）： 2009年11月12日
要約：
【課題】静電容量を増加させることができ、リーク電流を減少させることができるとともに、安価な薄膜コンデンサを提供する。【解決手段】本発明の薄膜コンデンサ100は、Niを主成分とする下地電極2と、下地電極2上に積層された二つ以上の誘電体層4、6と、誘電体層4、6の間に積層された、主成分としてNiを含有し、更にPt、Pd、Ir、Rh、Ru、Os、Re、W、Cr、Ta及びAgからなる群より選ばれる少なくとも一種を含有する内部電極8と、誘電体層4、6及び内部電極8を挟んで下地電極2の反対側に積層された、Cu又はCu合金からなる上部電極10と、を備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
Niを主成分とする下地電極と、
前記下地電極上に積層された二つ以上の誘電体層と、
前記誘電体層の間に積層された、主成分としてNiを含有し、更にPt、Pd、Ir、Rh、Ru、Os、Re、W、Cr、Ta及びAgからなる群より選ばれる少なくとも一種を含有する内部電極と、
前記誘電体層及び前記内部電極を挟んで前記下地電極の反対側に積層された、Cu又はCu合金からなる上部電極と、を備える薄膜コンデンサ。
IPC (3件)：
H01G 4/30
, H01G 4/33
, H01G 4/008
H01G4/30 301D
, H01G4/06 102
, H01G1/01
, H01G4/30 311D
5E082AB03
, 5E082EE05
, 5E082EE23
, 5E082EE26
, 5E082EE37
, 5E082FG54
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (5件)
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