半導体装置の製法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松隈秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-298488
公開番号（公開出願番号）：特開平9-139391
出願日： 1995年11月16日
公開日（公表日）： 1997年05月27日
要約：

【要約】【課題】 Si下地上に形成された段部の側面に酸化膜によるサイドウオールを形成するドライエッチングにおける、下地Siに対する選択比の低下によるエッチングの進行、すなわち凹部の発生を極力減少させる。【解決手段】シリコン下地の上に形成された段部の側面にサイドウオールを形成する工程を有する半導体装置の製造において、段部の側面を含んで全面的に酸化膜を形成する工程と、開口を通じて上記酸化膜を異方性ドライエッチングして、段部の側面に被着形成された上記酸化膜を局部的に残してサイドウオールを形成する工程とを有し、サイドウオールを形成する工程において、無磁場平行平板型の反応性イオンエッチング装置を用いる場合、フッ素系ガスおよびArに加えCOを用いてドライエッチングを行う。

請求項（抜粋）：

シリコン下地の上に形成された段部の側面にサイドウオールを形成する工程を有する半導体装置の製法において、上記段部の側面を含んで全面的に酸化膜を形成する工程と、上記酸化膜を異方性ドライエッチングして、上記段部の側面に被着形成された上記酸化膜を局部的に残してサイドウオールを形成する工程とを有し、上記異方性ドライエッチングは、フッ素系ガスと、ArガスにCOを添加したガスを用いた無磁場平行平板型の反応性イオンエッチング装置によるドライエッチングとしたことを特徴とする半導体装置の製法。

IPC (5件)：

H01L 21/331 , H01L 29/73 , H01L 21/3065 , H01L 21/8249 , H01L 27/06

FI (4件)：

H01L 29/72 , H01L 21/302 J , H01L 21/302 F , H01L 27/06 321 B

引用特許：

出願人引用 (10件)

エッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-331077 出願人：東京エレクトロン株式会社, 株式会社東芝
特開平4-258117
特開平3-276626

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審査官引用 (9件)

エッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-331077 出願人：東京エレクトロン株式会社, 株式会社東芝
特開平4-258117
特開平3-276626

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