酸化ハフニウムエッチング剤及びエッチング方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-092128
公開番号（公開出願番号）：特開2004-303795
出願日： 2003年03月28日
公開日（公表日）： 2004年10月28日
要約：

【課題】半導体デバイスの絶縁膜等に使用される酸化ハフニウムを、半導体デバイスにダメージを与えることなくエッチング可能なエッチング剤及びこのエッチング剤を用いたエッチング方法を提供する。【解決手段】フッ化アンモニウム、フッ化第四級アンモニウム等のフッ化物、過酸化水素及びこれらの溶媒を含んでなる酸化ハフニウムのエッチング剤であり、溶媒としては、水や水溶性有機溶媒等が使用可能であり、10〜100°Cの温度範囲で好適に酸化ハフニウムをエッチングすることができる。【選択図】選択図なし

請求項（抜粋）：

フッ化物、過酸化水素及びこれらの溶媒を含んでなる酸化ハフニウムのエッチング剤。

IPC (2件)：

H01L21/308 , H01L21/3213

FI (2件)：

H01L21/308 E , H01L21/88 C

Fターム (5件)：

5F033HH35 , 5F033QQ09 , 5F033QQ20 , 5F043AA37 , 5F043BB25

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-322755 出願人：松下電器産業株式会社
高誘電率薄膜エッチング剤組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-084472 出願人：三菱瓦斯化学株式会社
高誘電率薄膜エッチング剤組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-092794 出願人：三菱瓦斯化学株式会社

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