特許

J-GLOBAL ID：200903011068398220

レジスト材料及びパターン形成方法

発明者： 畠山 潤 ,  原田 裕次 ,  河合 義夫 ,  笹子 勝 ,  遠藤 政孝 ,  岸村 眞治 ,  前田 一彦 ,  小森谷 治彦 ,  山中 一広
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社 ,  松下電器産業株式会社 ,  セントラル硝子株式会社
代理人 (3件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-301500
公開番号（公開出願番号）：特開2005-070531
出願日： 2003年08月26日
公開日（公表日）： 2005年03月17日
要約：

【解決手段】 式(1)で示される繰り返し単位を有する高分子化合物と、式(2)で示される繰り返し単位を有する高分子化合物とを含有してなるレジスト材料。 【化1】(R1、R2はH又は酸不安定基、0.3≦a+b≦1、R3は酸不安定基、R4、R5はH、アルキル基、又は酸不安定基、R6はH、アルキル基、又は酸不安定基、X1は単結合、メチレン基又はエチレン基、0<c+d<0.8、0<e+f<0.8、0.5≦c+d+e+f≦1。)【効果】 本発明のレジスト材料は、レジストの透明性とアルカリ溶解コントラストが向上し、それと同時に優れたプラズマエッチング耐性を有する。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有する高分子化合物と、下記一般式(2)で示される繰り返し単位を有する高分子化合物とを含有してなるレジスト材料。

IPC (2件)：

G03F7/039 ,  H01L21/027

FI (2件)：

G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R

Fターム (16件)：

2H025AA01 ,  2H025AA04 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025CC20 ,  2H025FA17

引用特許：

出願人引用 (6件)

• 特公平2-27660号公報
  
• 特開昭63-27829号公報
  
• レジスト材料及びレジストパターンの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-050264   出願人：富士通株式会社
• デバイス製造のためのパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-049956   出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド
• レジスト組成物およびその利用
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-063775   出願人：日本ゼオン株式会社
• 国際公開第97/33198号パンフレット
  

審査官引用 (2件)

• 含フッ素化合物とその高分子化合物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-279778   出願人：セントラル硝子株式会社
• レジスト材料及びパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-167293   出願人：信越化学工業株式会社