特許
J-GLOBAL ID：200903011105121021

半導体基板並びにハイドライド気相成長法により自立半導体基板を製造するための方法及びそれに使用されるマスク層

発明者：
ヘニング・クリスチャン

ヘニング・クリスチャン について

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ヴァイヤース・マルクス

ヴァイヤース・マルクス について

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リヒター・エバーハルト

リヒター・エバーハルト について

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トレンクレ・ギュンター

トレンクレ・ギュンター について


出願人/特許権者：
フライベルガー・コンパウンド・マテリアルズ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング

フライベルガー・コンパウンド・マテリアルズ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング について


代理人 (1件)： 特許業務法人コスモス特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-528485
公開番号（公開出願番号）：特表2009-505938
出願日： 2006年08月24日
公開日（公表日）： 2009年02月12日
要約：
【課題】本発明により追加工程なしで下地基板から自己分離する自立半導体基板、自立半導体基板の製造方法びその方法で使用するマスク層を提供する。【解決手段】半導体基板を製造するための本発明に係る方法は、下地基板を提供する工程と、下地基板上に複数の開口部を備えたマスク層を形成する工程と、少なくとも1つの半導体基板を成長させ、マスク層を少なくとも1つの半導体材料によって横方向に全面成長させる工程と、その後に下地基板、マスク層及び半導体基板を冷却する工程とを含む。マスク層を形成する材料は、少なくとも部分的に窒化タングステンシリサイド又はタングステンシリサイドからなる。半導体基板及び下地基板は、少なくとも1つの半導体基板の成長中又は冷却中に分離され、半導体基板を自立させる。このとき、自立半導体基板を製造するための本発明に係るマスク層は、少なくとも部分的に窒化タングステンシリサイド又はタングステンシリサイドを含む。【選択図】図7
請求項（抜粋）：
下地基板(1)を供給する工程と、 前記下地基板(1)上に複数の開口部(3)を備えたマスク層(2)を形成する工程と、 少なくとも1つの半導体基板(6)を成長させ、前記マスク層(2)を少なくとも1つの半導体材料によって横方向に全面成長させる工程と、 前記全面成長させた後、前記下地基板(1)、前記マスク層(2)及び前記半導体基板(6)を冷却する工程とを有し、 前記マスク層(2)を形成する前記材料は、少なくとも部分的に窒化タングステンシリサイド又はタングステンシリサイドを含み、 前記半導体基板(6)と前記下地基板(1)の分離を、前記成長の間又は前記冷却の間に生じさせて、 前記半導体基板(6)を自立させ、 前記半導体基板(6)には、少なくとも窒化物系化合物半導体が含まれている、ことを特徴とする半導体基板(6)の製造方法。
IPC (4件)：
C30B 29/38 ,  C30B 25/04 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205
FI (4件)：
C30B29/38 D ,  C30B25/04 ,  C23C16/34 ,  H01L21/205
Fターム (54件)：
4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077DB08 ,  4G077EB01 ,  4G077ED06 ,  4G077EE07 ,  4G077EH01 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TB03 ,  4G077TB05 ,  4G077TC16 ,  4G077TC19 ,  4G077TK01 ,  4G077TK08 ,  4G077TK11 ,  4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030JA01 ,  4K030LA14 ,  5F041CA40 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AD14 ,  5F045AE25 ,  5F045AF02 ,  5F045AF04 ,  5F045AF20 ,  5F045BB11 ,  5F045DA53 ,  5F045DB02 ,  5F045GH09 ,  5F173AH22 ,  5F173AJ23 ,  5F173AP05 ,  5F173AP09 ,  5F173AP19 ,  5F173AP20
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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