特許
J-GLOBAL ID：200903005734165660

窒化物半導体結晶層の作製方法、窒化物半導体結晶層、及び窒化物半導体結晶層作製用の基材

発明者：
澤木 宣彦

澤木 宣彦 について

, 
本田 善央

本田 善央 について

, 
西村 慶之

西村 慶之 について


出願人/特許権者：
国立大学法人名古屋大学

国立大学法人名古屋大学 について


代理人 (8件)： 杉村 興作 ,  高見 和明 ,  徳永 博 ,  藤谷 史朗 ,  来間 清志 ,  大山 健次郎 ,  冨田 和幸 ,  阿相 順一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-370790
公開番号（公開出願番号）：特開2005-136200
出願日： 2003年10月30日
公開日（公表日）： 2005年05月26日
要約：
【課題】大面積のシリコン基板上に一般式InxGayAlzN(0≦x,y,x≦1、x+y+z=1)で表される窒化物半導体結晶を厚く形成する技術を確立する。【解決手段】 シリコン基板11上に、矩形状の開口部12Aを有するマスク部材12を介し、選択及び横方向の結晶成長を通じて厚さ200nm以上のAlN微結晶層13を形成する。次いで、AlN微結晶層13上に、一般式InxGayAlzN(0≦x,y,x≦1、x+y+z=1)で表される窒化物半導体結晶層14を形成する。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
シリコン基板を準備する工程と、 前記シリコン基板上に、厚さ200nm以上のAlN微結晶層を形成する工程と、 前記AlN微結晶層上に、一般式InxGayAlzN(0≦x,y,x≦1、x+y+z=1)で表される窒化物半導体結晶層を形成する工程と、 を具えることを特徴とする、窒化物半導体結晶層の作製方法。
IPC (3件)：
H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C30B29/38
FI (3件)：
H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C30B29/38 D
Fターム (31件)：
4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077DB08 ,  4G077EA02 ,  4G077ED06 ,  4G077EF03 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA02 ,  4G077TA04 ,  4G077TB04 ,  4G077TB05 ,  4G077TK11 ,  4K030AA03 ,  4K030AA11 ,  4K030BA38 ,  4K030CA04 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030JA01 ,  4K030JA10 ,  4K030LA14 ,  5F045AA04 ,  5F045AB18 ,  5F045AD14 ,  5F045AF04 ,  5F045BB08 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53
引用特許：
審査官引用 (7件)
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