特許
J-GLOBAL ID：200903011265964246

半導体素子の基準電圧発生回路

発明者：
デュジェオング キム

デュジェオング キム について

, 
スンホ ワング

スンホ ワング について


出願人/特許権者：
エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド

エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド について


代理人 (1件)： 萩原 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-160228
公開番号（公開出願番号）：特開平9-006449
出願日： 1996年06月20日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：
【要約】【課題】 基板電圧の変動及び温度変化に関係なく一定の基準電圧を発生させ、n形ウェルCMOS標準工程で製造できる半導体素子の基準電圧発生回路を提供すること。【解決手段】 基板電圧Vbbの変化、それに伴う第3NMOSトランジスタM44のしきい値電圧の変化を第2ノードn42の電圧変化から感知して、そのとき生じる第3PMOSトランジスタM61(電流-電圧変換部)の電流変化を相殺する第4NMOSトランジスタM51(基板電圧変動センサ部50)を設ける。加えて、第4PMOSトランジスタM62からなる温度補償部を出力ノードn61に接続する。
請求項（抜粋）：
供給電圧Vddの印加を受けて最初に基準電流を発生させた後、この基準電流を基準電圧Vref に変換して出力端子を通って出力する半導体素子の基準電圧発生回路において、リセット端子に接続され、回路の動作点を決定する駆動信号を発生させるスタートアップ回路部と、前記スタートアップ回路部から駆動信号の印加を受けて基準電流を発生させる定電流源としてのカレントミラー及び前記基準電流値を決定する電圧分割部からなる基準電流発生部と、前記基準電流発生部から発生した前記基準電流の基板電圧Vbbの変動による変動を補償するために、前記出力端子に接続された基板電圧変動センサ部と、前記基準電流発生部のカレントミラーと一緒に駆動され、基準電流を基準電圧に変換して出力端子に出力する電流-電圧変換部及び前記出力端子に接続され、温度の変化による基準電圧の変動を補償する温度補償部とを含んでなることを特徴とする半導体素子の基準電圧発生回路。
引用特許：
審査官引用 (5件)
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