特許
J-GLOBAL ID：200903025284692177
X線マスク及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-098867
公開番号（公開出願番号）：特開平11-297593
出願日： 1998年04月10日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：
【要約】【課題】 X線リソグラフィーに用いられるX線マスク及びその製造方法に関し、応力のゼロ調整を行った後の大気中での高温アニールによって応力が変動しないX線マスク及びその製造方法を提供する。【解決手段】 支持膜12と、支持膜12上に形成され、Taよりなる第1の元素と、B、Si又はGeの何れかから選択された第2の元素と、外部から酸素が取り込まれるのを防止する第3元素とを含む膜よりなるX線吸収体14とによりX線マスクを構成する。
請求項（抜粋）：
支持膜と、前記支持膜上に形成され、Taよりなる第1の元素と、B、Si又はGeの何れかから選択された第2の元素と、外部から酸素が取り込まれるのを防止する第3元素とを含む膜よりなるX線吸収体とを有することを特徴とするX線マスク。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 531 M
, G21K 5/02 X
