半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-279524
公開番号（公開出願番号）：特開2007-095747
出願日： 2005年09月27日
公開日（公表日）： 2007年04月12日
要約：

【課題】従来と同一の積層工程を用いた場合でも、従来よりも多くの半導体装置を得ることができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板9と該基板9上に積層された少なくとも1つのチップ12とで構成される構造体100を形成する。その後、該構造体100を複数の分割構造体110、120、130、140に分割する。そして、各分割構造体110、120、130、140が、1つの半導体装置を構成する。利用可能な積層方法で形成した積層構造体100を、利用可能な方法で複数の分割構造体110、120、130、140に分割することで、分割された分割構造体の数だけ、得られる半導体装置を増やすことが可能となる。【選択図】図4

請求項（抜粋）：