特許

J-GLOBAL ID：200903011354321707

半導体集積回路装置

発明者： 土橋 正典
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (2件)： 佐野 静夫 ,  林田 英樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-239698
公開番号（公開出願番号）：特開2007-059444
出願日： 2005年08月22日
公開日（公表日）： 2007年03月08日
要約：

【課題】本発明は、クランプ回路の静電破壊防止機能を損なうことなく、装置の仕様耐圧を高めることが可能な半導体集積回路装置を提供することを目的とする。 【解決手段】本発明に係る半導体集積回路装置は、外部端子T1と接地端との間に接続され、外部端子T1にクランプ電圧以上の電圧Vaが印加されたときに、外部端子T1と接地端との間を短絡させるクランプ回路1と;外部端子T1にクランプ電圧以上の電圧Vaが印加されており、かつ、その印加期間が所定の閾値期間に達したとき、クランプ回路1の動作を禁止するクランプ制御回路2と;を有して成る構成とされている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

外部端子と基準電位端との間に接続され、前記外部端子にクランプ電圧以上の電圧が印加されたときに、前記外部端子と前記基準電位端との間を短絡させるクランプ回路と;前記外部端子に前記クランプ電圧以上の電圧が印加されており、かつ、その印加期間が所定の閾値期間に達したとき、前記クランプ回路の動作を禁止するクランプ制御回路と;を有して成ることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (3件)：

H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H02H 9/04

FI (2件)：

H01L27/04 H ,  H02H9/04 A

Fターム (17件)：

5F038BB03 ,  5F038BB05 ,  5F038BB08 ,  5F038BE09 ,  5F038BH02 ,  5F038BH05 ,  5F038BH06 ,  5F038BH13 ,  5F038BH15 ,  5F038CD16 ,  5F038EZ20 ,  5G013AA02 ,  5G013AA16 ,  5G013BA02 ,  5G013CB03 ,  5G013DA05 ,  5G013DA10

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-199344   出願人：日産自動車株式会社

審査官引用 (5件)

• ESD保護回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-205735   出願人：株式会社東芝
• 内部電源電圧発生回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-000612   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-199344   出願人：日産自動車株式会社
• 過電圧保護回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-107185   出願人：富士電機株式会社
• 半導体集積回路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-321059   出願人：株式会社東芝