特許
J-GLOBAL ID：200903011415405330

記憶装置、半導体装置、およびそれらの駆動方法

発明者：
加藤 清

加藤 清 について

, 
泉 小波

泉 小波 について

, 
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-013880
公開番号（公開出願番号）：特開2006-236556
出願日： 2006年01月23日
公開日（公表日）： 2006年09月07日
要約：
【課題】低消費電力で動作し、記憶情報の信頼性が高く、小型で軽量、安価な記憶装置とその駆動方法を提供することを課題とする。さらに低消費電力で動作し、記憶情報の信頼性が高く、無線通信距離の長い、小型で軽量、安価な半導体装置とその駆動方法を提供することを課題とする。【解決手段】記憶装置は、少なくとも記憶素子がマトリックス状に配置されたメモリセルアレイと、書き込み回路とを有し、記憶素子は第一の導電層と、第二の導電層と第一の導電層と第二の導電層とに挟まれて設けられた有機化合物層とを有し、書き込み回路は、複数回印加する電圧を発生させる電圧発生回路と、電圧の出力時間を制御するタイミング制御回路とを有することを特徴とする。【選択図】図8
請求項（抜粋）：
第一の導電層と、第二の導電層と、前記第一の導電層と前記第二の導電層とに挟まれて設けられた有機化合物層とを有する記憶素子に、少なくとも第1の電圧と、該第1の電圧印加の後に第2の電圧とを印加することにより、前記記憶素子の電気特性を変化させることを特徴とする記憶装置の駆動方法。
IPC (7件)：
G11C 13/00 ,  H01L 27/10 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/792 ,  H01L 29/788 ,  G06K 19/07
FI (6件)：
G11C13/00 Z ,  H01L27/10 431 ,  H01L27/10 434 ,  H01L29/78 371 ,  G06K19/00 H ,  G06K19/00 N
Fターム (27件)：
5B035BA05 ,  5B035BB09 ,  5B035CA01 ,  5B035CA12 ,  5B035CA23 ,  5F083CR11 ,  5F083CR15 ,  5F083EP02 ,  5F083EP23 ,  5F083ER03 ,  5F083ER05 ,  5F083ER06 ,  5F083FZ07 ,  5F083GA05 ,  5F083GA09 ,  5F083GA15 ,  5F083HA02 ,  5F083JA36 ,  5F083JA39 ,  5F083JA42 ,  5F083PR23 ,  5F101BA01 ,  5F101BB05 ,  5F101BC02 ,  5F101BD02 ,  5F101BD30 ,  5F101BE05
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • メモリカード装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-115632   出願人：株式会社東芝, 東芝エー・ブイ・イー株式会社
審査官引用 (3件)

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