特許
J-GLOBAL ID：200903011464349089

パーティクル発生の少ないスパッタリングターゲット、バッキングプレート又はスパッタリング装置内の機器及び粗化方法

発明者：
高橋 秀行

高橋 秀行 について


出願人/特許権者：
日鉱金属株式会社

日鉱金属株式会社 について


代理人 (1件)： 小越 勇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-124193
公開番号（公開出願番号）：特開2008-285754
出願日： 2008年05月12日
公開日（公表日）： 2008年11月27日
要約：
【課題】ターゲット、バッキングプレート、スパッタリング装置内の機器の、不要な膜が堆積する面から発生する堆積物の剥離・飛散を防止できるパーティクル発生の少ないスパッタリングターゲット、バッキングプレート又はスパッタリング装置内の機器及び放電加工による粗化方法を提供する。【解決手段】スパッタリング中の不要な膜が堆積する面に放電加工痕を形成したスパッタリングターゲット、バッキングプレート又はスパッタリング装置内の機器であって、該放電加工痕は90°未満の俯角を有する傾斜した多数の突起からなることを特徴とするパーティクル発生の少ないスパッタリングターゲット、バッキングプレート又はスパッタリング装置内の機器。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
スパッタリング中の不要な膜が堆積する面に放電加工痕を形成したスパッタリングターゲット、バッキングプレート又はスパッタリング装置内の機器であって、該放電加工痕は90°未満の俯角を有する傾斜した多数の突起からなることを特徴とするパーティクル発生の少ないスパッタリングターゲット、バッキングプレート又はスパッタリング装置内の機器。
IPC (3件)：
C23C 14/34 ,  B23H 1/00 ,  B23H 9/00
FI (4件)：
C23C14/34 A ,  B23H1/00 A ,  B23H9/00 A ,  C23C14/34 B
Fターム (5件)：
3C059AA01 ,  3C059AB03 ,  3C059HA04 ,  4K029DC07 ,  4K029DC21
引用特許：
出願人引用 (5件)
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