特許
J-GLOBAL ID:200903011490764884

プラズマ処理用シャワープレート及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 好宮 幹夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-249851
公開番号(公開出願番号):特開2004-006581
出願日: 2002年08月29日
公開日(公表日): 2004年01月08日
要約:
【課題】プラズマ組成の変化やコンタミネーションの発生を防ぐといったシリコンの優位性を生かしつつ、エッチングレートを一定に保ち、エッチング均一性を維持することができる長寿命のシャワープレートを提供する。【解決手段】プラズマ処理装置において上部電極として用いられ、反応ガスを噴出させるためのガス噴出口が形成されているシャワープレートであって、少なくともシャワープレートのガスを噴出させる側の面がシリコン7からなり、且つ該ガスを噴出させる側の面における前記ガス噴出口5の周囲にのみシリコンよりも耐プラズマエッチング性が高い材質からなる膜6が形成されているものであることを特徴とするプラズマ処理用シャワープレート1。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
プラズマ処理装置において上部電極として用いられ、反応ガスを噴出させるためのガス噴出口が形成されているシャワープレートであって、少なくともシャワープレートのガスを噴出させる側の面がシリコンからなり、且つ該ガスを噴出させる側の面における前記ガス噴出口の周囲にのみシリコンよりも耐プラズマエッチング性が高い材質からなる膜が形成されているものであることを特徴とするプラズマ処理用シャワープレート。
IPC (1件):
H01L21/3065
FI (1件):
H01L21/302 101L
Fターム (5件):
5F004BA04 ,  5F004BB29 ,  5F004BB32 ,  5F004BC03 ,  5F004DA01
引用特許:
審査官引用 (7件)
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